6月20日，國內(nèi)首條、世界第二條的8英寸IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）專業(yè)芯片生產(chǎn)線在中國南車株洲電力機車研究所有限公司（以下簡稱南車株洲所）建成，中國首片8英寸IGBT芯片同時下線。這條生產(chǎn)線總投資15億元，首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)將打破國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對于保障國民經(jīng)濟安全、推動兩型社會建設(shè)具有重大戰(zhàn)略意義。

為實現(xiàn)我國在高端IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)上的突破，國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專項”重點支持南車株洲所牽頭開展了攻關(guān)，湖南省科技廳將該項目列入“省承接國家科技重大專項成果轉(zhuǎn)化專項”和“省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)科技攻關(guān)與重大科技成果轉(zhuǎn)化項目”重點項目，對南車株洲所進行了連續(xù)支持。經(jīng)過多年的研發(fā)，南車株洲所攻克了30多項重大難題，終于掌握了IGBT產(chǎn)品設(shè)計、芯片制造、模塊封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應用等成套技術(shù)，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。其產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)實力都達到了國際領(lǐng)先水平，特別是在溝槽技術(shù)、高能離子注入、超薄片加工、激光退火與銅金屬化工藝等關(guān)鍵技術(shù)的運用方面都走在國際前列。

這條8英寸IGBT專業(yè)芯片線全面建成投產(chǎn)后，年產(chǎn)值預計可突破20億元。同時，按照全球IGBT技術(shù)發(fā)展趨勢，南車株洲所正在研發(fā)第五代、預研第六代IGBT技術(shù)，以持續(xù)確保我國在IGBT產(chǎn)業(yè)上的技術(shù)支撐與核心競爭力。