在NAND Flash晶片市場各據(jù)一方的東芝與三星電子，為了在新一代3D記憶體晶片市場搶得先機，近日正加緊研發(fā)腳步，盼能搶先對手一步突破48層技術(shù)門檻并開始量產(chǎn)。

NAND Flash晶片是目前普遍應(yīng)用于智慧型手機與PC的記憶體晶片，由三星主導(dǎo)全球市場，其次是市占率第2的東芝。但隨著NAND Flash晶片技術(shù)逼近最高極限，叁星、東芝早已開始研發(fā)新一代記憶體晶片技術(shù)。 　　

相較于2D記憶體晶片的單層結(jié)構(gòu)，3D記憶體晶片能靠多層結(jié)構(gòu)大幅擴充記憶體容量。 　　

以東芝為例，該公司目標(biāo)在2019會計年度(2019年4月起)前制造出容量1TB的3D記憶體晶片，相當(dāng)于目前2D記憶體晶片最大容量的16倍。 　　

然而，眼前兩家公司的3D記憶體晶片技術(shù)仍在研發(fā)階段。據(jù)業(yè)界人士透露，東芝與三星各自研發(fā)的3D記憶體晶片技術(shù)已在去年達到24層技術(shù)門檻，且預(yù)計今年升級至32層技術(shù)。 　　

但一名東芝高層透露，「現(xiàn)階段量產(chǎn)3D記憶體晶片沒有意義」，因為采用32層技術(shù)的3D記憶體晶片生產(chǎn)成本還太高，價格競爭力不及目前最高規(guī)格的2D記憶體晶片。 　　

觀察家認(rèn)為東芝及三星都立志在明年突破48層技術(shù)門檻，一旦突破就會立刻量產(chǎn)，因此在這個節(jié)骨眼只要其中一家公司研發(fā)進度領(lǐng)先，就可望主導(dǎo)日后的3D記憶體晶片市場。