巨頭搶占3D記憶體晶片市場

責(zé)任編輯:editor014

2014-08-05 07:39:11

摘自:元器件交易網(wǎng)

在NAND Flash晶片市場各據(jù)一方的東芝與三星電子,為了在新一代3D記憶體晶片市場搶得先機,近日正加緊研發(fā)腳步,盼能搶先對手一步突破48層技術(shù)門檻并開始量產(chǎn)。

在NAND Flash晶片市場各據(jù)一方的東芝與三星電子,為了在新一代3D記憶體晶片市場搶得先機,近日正加緊研發(fā)腳步,盼能搶先對手一步突破48層技術(shù)門檻并開始量產(chǎn)。

NAND Flash晶片是目前普遍應(yīng)用于智慧型手機與PC的記憶體晶片,由三星主導(dǎo)全球市場,其次是市占率第2的東芝。但隨著NAND Flash晶片技術(shù)逼近最高極限,叁星、東芝早已開始研發(fā)新一代記憶體晶片技術(shù)。   

相較于2D記憶體晶片的單層結(jié)構(gòu),3D記憶體晶片能靠多層結(jié)構(gòu)大幅擴充記憶體容量。   

以東芝為例,該公司目標(biāo)在2019會計年度(2019年4月起)前制造出容量1TB的3D記憶體晶片,相當(dāng)于目前2D記憶體晶片最大容量的16倍。   

然而,眼前兩家公司的3D記憶體晶片技術(shù)仍在研發(fā)階段。據(jù)業(yè)界人士透露,東芝與三星各自研發(fā)的3D記憶體晶片技術(shù)已在去年達到24層技術(shù)門檻,且預(yù)計今年升級至32層技術(shù)。   

但一名東芝高層透露,「現(xiàn)階段量產(chǎn)3D記憶體晶片沒有意義」,因為采用32層技術(shù)的3D記憶體晶片生產(chǎn)成本還太高,價格競爭力不及目前最高規(guī)格的2D記憶體晶片。   

觀察家認(rèn)為東芝及三星都立志在明年突破48層技術(shù)門檻,一旦突破就會立刻量產(chǎn),因此在這個節(jié)骨眼只要其中一家公司研發(fā)進度領(lǐng)先,就可望主導(dǎo)日后的3D記憶體晶片市場。

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