幾十年來，由于芯片封裝的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番，所以計(jì)算機(jī)的處理能力一直保持穩(wěn)步增長。

這個(gè)被稱為摩爾定律的理論，已經(jīng)持續(xù)了很長一段時(shí)間，然而最近處理器巨頭英特爾宣布將從根本上改變計(jì)算機(jī)芯片制造方式之后，這個(gè)定律將遭遇又一重?fù)簟?/p>

英特爾將放棄已經(jīng)使用了多年的“tick-tock”芯片制造方式，而這似乎與在芯片表面縮小晶體管和電路的難度越來越大有關(guān)。

“tick-tock”模式是英特爾制造新芯片的方法。大概每隔一年，英特爾就會對自己的晶圓工廠進(jìn)行升級，采用更小的晶體管和電路，從而增加晶體管密度，提高處理器的性能和能源效率。這就是所謂的“tick”。

在這些tick年之間，英特爾會發(fā)布采用全新微架構(gòu)的芯片——這被稱為“tock”。

這樣就形成了一個(gè)循環(huán)，這一年英特爾發(fā)布基于全新微架構(gòu)的芯片，接下來一年發(fā)布基于相同微架構(gòu)的新芯片，但是在制造工藝上封裝了更小、更高密度的晶體管。

現(xiàn)在這種方式將會發(fā)生改變。英特爾宣布將會放慢縮小芯片晶體管的步伐。

英特爾將會轉(zhuǎn)向所謂的“處理、架構(gòu)、優(yōu)化”這個(gè)路線，而不是采用“tick-tock”的制造方式。

英特爾已經(jīng)在現(xiàn)有基于14納米制造工藝的處理器上正式采用這種方法。14納米的大小，與晶體管在芯片表面封裝緊密相關(guān)。隨著英特爾不斷縮小芯片晶體管，納米數(shù)也在縮小。

英特爾已經(jīng)計(jì)劃發(fā)布2款14納米芯片——Broadwell和Skylake——然后在2016年發(fā)布一款10納米芯片，Cannonlake。然而，去年英特爾宣布將10納米Cannonlake的發(fā)布推遲到2017年，會在2016年底發(fā)布另一款14納米的芯片Kaby Lake。

Kaby Lake并非是縮小版的Skylake，或者基于新的微架構(gòu)，而是采用與Skylake相同的微架構(gòu)，但是性能有所增強(qiáng)，增加了新的功能。

英特爾已經(jīng)表示，未來發(fā)布芯片時(shí)將繼續(xù)采用這種更持久的方式，至少是在不遠(yuǎn)的未來，而且在發(fā)布基于10納米制程工藝的時(shí)候也將采取類似的策略。

“我們將會延長采用14納米和下一代10納米制程技術(shù)的時(shí)間，進(jìn)一步優(yōu)化我們的產(chǎn)品和制程工藝，同時(shí)滿足每年推出產(chǎn)品的市場節(jié)奏，”英特爾在10-K文件中這樣表示。

沒有了更小制程工藝或者全新微架構(gòu)所帶來的改進(jìn)，英特爾新的芯片對于消費(fèi)者和企業(yè)來說會有多大吸引力，這一點(diǎn)有待觀察。Kaby Lake賣得怎么樣，可能要取決于它比Skylake相比可以帶來多么顯著的性能提升。

該文件中并沒有說明制造放緩背后的原因，但是英特爾首席執(zhí)行官Brian Krzanich此前曾探討過10納米以下制造芯片的難度。

“隨著你不斷嘗試和縮小尺寸，光刻就變得越來越難，你要做的多模式步驟也越來越多，”他在去年的電話會議上這樣表示。

由于傳統(tǒng)光刻方法的局限性，10納米及10納米以下的芯片制造存在著電流泄漏的問題。雖然英特爾、三星和TSMC都在制造這種尺寸芯片的過程中探索所謂“極紫外光刻”技術(shù)，但是這種方法到目前也并沒有運(yùn)用于生產(chǎn)中。

英特爾并不希望制造工藝的放緩導(dǎo)致自己落后于競爭對手，考慮到目前英特爾在制程工藝方面的領(lǐng)先地位。

“我們在過渡到下一代制程工藝、利用這種技術(shù)將產(chǎn)品帶入市場方面處于市場領(lǐng)先地位，”英特爾在該文件中這樣寫道。

芯片制造商TSMC預(yù)計(jì)要到2017年才會開始大量制造采用7納米制程工藝的芯片。

這種在制程工藝上的改變，對于消費(fèi)者和企業(yè)來說可能有一個(gè)好處，那就是設(shè)備更容易升級了，因?yàn)楝F(xiàn)在英特爾新的芯片不需要像以前那樣頻繁地更多新主板插槽。