研究人員:RRAM可以變成更節(jié)能的3D芯片

責任編輯:editor004

2016-12-07 10:41:11

摘自:cnbeta網站

幾年前斯坦福工程師率先開發(fā)的電阻式隨機存取存儲器(RRAM),它是一種新型電腦存儲器,它基于一種新的半導體材料,依賴于溫度和電壓來存儲數(shù)據。RRAM及其制造的半導體允許芯片堆疊在彼此之上,使得存儲器和邏輯組件以不能復制的方式靠近在一起。

幾年前斯坦福工程師率先開發(fā)的電阻式隨機存取存儲器(RRAM),它是一種新型電腦存儲器,它基于一種新的半導體材料,依賴于溫度和電壓來存儲數(shù)據。雖然它被證明比當前技術更快,更節(jié)能,但是RRAM的工作原理仍然是一個謎?,F(xiàn)在,一個斯坦福團隊使用了全新工具來研究RRAM,發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍遠低于此前預期,為更高效的內存鋪平了道路。

RRAM及其制造的半導體允許芯片堆疊在彼此之上,使得存儲器和邏輯組件以不能復制的方式靠近在一起。這些3D“高層”芯片可以解決大數(shù)據處理延遲,同時延長未來移動設備的電池壽命,提供更快,更高能效的解決方案。

RRAM工作的基本原理:在自然狀態(tài)下,RRAM材料是絕緣體,阻止電子流動,但是用電場將它們打開,為電子打開一個路徑,讓電子流動,這兩個狀態(tài)之間交替可以形成二進制代碼的基礎:即絕緣狀態(tài)表示0,而通過電子的狀態(tài)代表1。

但是RRAM材料需要多少溫度才會導致開關目前還是未知因素。由于沒有辦法測量由電力產生的熱量,研究人員使用微熱級的熱板狀裝置加熱RRAM芯片。通過監(jiān)測電子何時開始流過RRAM材料,團隊能夠測量材料形成導電通路所需的溫度,并驚喜地發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍在80°F和260°F(26.7和126.7℃)之間,遠低于此前估計的1160°F(626.7℃)。因此,未來的RRAM器件將需要更少的電力來產生這些溫度,使得它們更節(jié)能。

RRAM可能不會在短時間內商業(yè)化,成為消費者設備當中的存儲裝置,但研究人員說,這一發(fā)現(xiàn)將有助于加快業(yè)界對這項技術的理解,并為未來的工作提供更堅實的基礎。

研究人員:RRAM可以變成更節(jié)能的3D芯片

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