1月19日消息 據(jù)聯(lián)合財(cái)經(jīng)網(wǎng)報(bào)道，昨天臺積電正式表示，旗下5nm制程工藝基地最快將在今年動(dòng)工，目標(biāo)是在2020年實(shí)現(xiàn)5nm工藝量產(chǎn)，以拉開與三星和英特爾的制程差距。
臺積電高管莊子壽表示，5nm工藝目前仍在發(fā)展當(dāng)中，臺積電5nm工藝是未來兩到三年的目標(biāo)，預(yù)期5nm基地占地40公頃，投資額為幾千億新臺幣，待臺積電董事會通過后就會啟動(dòng)。
5nm制程工藝不僅擁有更好的芯片特性，更使得在生產(chǎn)過程當(dāng)中更節(jié)能環(huán)保，與25nm制程工藝相比，5nm工藝制造階段用電量僅為10%，同時(shí)污染總量以及廢水排放量也會減少。
目前臺積電臺積電制程重心在于16nm工藝以及10nm工藝，5nm工藝量產(chǎn)還需三年的時(shí)間。
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