臺(tái)積電在近日宣布將與Xilinx、ARM、Cadence Design Systems聯(lián)手打造全球第一款7nm工藝的新品，他們要做的是一款CCIX(Cache Coherent Interconnect for Accelerators)加速器轉(zhuǎn)速緩存互聯(lián)一致性測(cè)試芯片，采用臺(tái)積電7nm FinFET工藝打造，預(yù)計(jì)在明年第一季度流片。

這個(gè)測(cè)試芯片是用來展現(xiàn)CCIX的各項(xiàng)功能，正面多核心高效能ARM CPU能通過互聯(lián)架構(gòu)與芯片外的FPGA加速器同步工作，同時(shí)臺(tái)積電也用它來測(cè)試自己的7nm工藝。這顆芯片將采用ARM v8.2 with DynamIQ核心，使用CMN-600總線與芯片內(nèi)部其他設(shè)備互聯(lián)，Cadence公司將提供CCIX、DDR4內(nèi)存控制器、PCI-E 3.0/4.0控制器以及包括I2C、SPI、QSPI在內(nèi)的周邊IP以及相關(guān)的IP控制器。測(cè)試芯片通過CCIX芯片對(duì)芯片互聯(lián)一致協(xié)定，可連接Xilinx的16nm Virtex UltraScale+ FPGA。

臺(tái)積電的10nm工藝現(xiàn)在只針對(duì)手機(jī)的低功耗領(lǐng)域，而7nm FinFET工藝可以囊括高性能或低功耗等各種不同的需求，對(duì)臺(tái)積電來說是相當(dāng)重要的一個(gè)節(jié)點(diǎn)，第一個(gè)版本的CLN 7FF保證可以把功耗降低60%，核心面積縮小70%，到了2019年會(huì)推出融入EUV極紫外光刻的CLN 7FF+版本，進(jìn)一步提升晶體管的集成度、效能與良品率。

話說這個(gè)7nm的CCIX雖說會(huì)在明年Q1流片，但是正式量產(chǎn)要等到2018下半年才行，所以臺(tái)積電的7nm至少還得等一年才會(huì)到來。