據(jù)臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音(Mark Liu)披露,臺(tái)積電位于南京的300mm晶圓廠將于2018年5月份投入量產(chǎn),比原計(jì)劃的2018年下半年提前了一個(gè)季度還要多。
臺(tái)積電南京晶圓廠于2016年7月份破土動(dòng)工,2017年9月份開始設(shè)備安裝,將會(huì)引入16nm FinFET制造工藝,并在南京設(shè)立一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心來吸引客戶訂單。
這是臺(tái)積電目前已量產(chǎn)的第二高級(jí)的工藝,僅次于10nm FinFET——按照相關(guān)政策,最先進(jìn)的工藝是不允許引入內(nèi)地的。
即便如此,這也將成為內(nèi)地最先進(jìn)的工藝——目前內(nèi)地最好的還是28nm,最流行的依然是40/45nm。
劉德音還表示,除了高性能計(jì)算、IoT物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、移動(dòng)設(shè)備,臺(tái)積電未來還會(huì)專注于AI人工智能、5G設(shè)備平臺(tái),并且正與大量客戶密切溝通,計(jì)劃用12nm、10nm、7nm工藝制造AI和機(jī)器學(xué)習(xí)芯片。
使用新的7nm工藝,臺(tái)積電還為40多家客戶研發(fā)了5G相關(guān)新品,將于2018年量產(chǎn)。