受中美競爭特別是中興事件的影響，國內對芯片的重視程度被進一步拔高，而在存儲芯片方面隨著三大存儲芯片企業(yè)長江存儲、合肥長鑫和福建晉華的快速推進讓人看到中國存儲芯片企業(yè)有機會打破當前由美日韓企業(yè)壟斷的局面，不過要打破這一局面還需要時間。

中國存儲芯片要打破美日韓的壟斷局面尚需時間

美日韓壟斷存儲芯片市場

存儲芯片主要分為兩種，分別是DRAM和NAND flash，在我們日常見到的產品中分別是PC用的DRAM內存條和SSD硬盤，這兩類產品在各個行業(yè)都有廣泛的應用，而且隨著各個產業(yè)的發(fā)展這兩類產品的重要性正日益凸顯，這也導致存儲芯片價格自2016年以來持續(xù)上漲，并推動全球最大的存儲芯片企業(yè)三星在半導體市場擊敗Intel首次奪取了全球最大半導體企業(yè)的位置。

在DRAM芯片市場，份額主要由三星、SK海力士和鎂光占有，它們分別占據該市場的份額為44.5%、27.9%、22.9%，三家合計占有全球DRAM市場份額約95.3%，中國臺灣的華亞科等占有少量的市場份額。

在NAND flash市場，主要有六大企業(yè)，分別是三星、東芝、西部數據、鎂光、SK海力士、Intel，市場份額分別為37.0%、18.0%、16.6%、12.1%、9.9%、5.9%，六家合計占有超過99%的市場份額。

在DRAM和NAND flash市場，韓國企業(yè)都呈現(xiàn)強勢的地位，特別是三星由于占據優(yōu)勢的市場地位，它成為這兩年存儲芯片價格上漲的最大獲益者，獲利豐厚的它正通過加大投入保持自己在技術上的領先優(yōu)勢，這又反過來進一步鞏固它的市場份額優(yōu)勢。Intel在NAND flash市場則通過與鎂光研發(fā)的3d xpoint存儲技術給市場帶來較大的影響，這也成為推動它市場份額提升的主要動力。

中國存儲芯片企業(yè)的進展

在國產三大存儲芯片企業(yè)當中，長江存儲的投資規(guī)模最大，據報道指它的總投資將高達240億美元，目前長江存儲的NAND flash芯片工廠已開始搬進生產設備，預計在年底就將投產。長江存儲的野心并不止于NAND flash，它也有意投資DRAM，未來或將進入這個行業(yè)。

合肥長鑫和福建晉華投資生產DRAM。合肥長鑫的進展要快一些，當前它的DRAM芯片工廠已搬進生產設備，預計年底就將投入生產;福建晉華的DRAM工廠預計下個月搬進生產設備，不過它在生產進度方面則較快，表示也爭取今年內投產。

中國三大存儲芯片企業(yè)的技術人才主要來自日本、韓國和中國臺灣，長江存儲的COO高啟全是前華亞科董事長，日本存儲芯片企業(yè)爾必達倒閉之后其部分人才進入了合肥長鑫，合肥長鑫還挖來華亞科前資深副總劉大維，福建晉華則通過與中國臺灣的聯(lián)華電子合作獲得DRAM技術。

打破美日韓的壟斷局面尚需時間

中國存儲芯片企業(yè)在技術方面還落后于美日韓的企業(yè)。長江存儲預計年底投產的NAND flash芯片是32層技術，而國外的企業(yè)已投產64層技術，當前國產存儲芯片企業(yè)正積極推進96層技術預計在明年投產。

在DRAM技術方面，三星正推進18nm工藝的生產技術，合肥長鑫和福建晉華的起點較高預計投產時就將采用19nm工藝，顯示出這兩家存儲芯片企業(yè)意欲一進入市場就要以較高的技術爭取國內的客戶支持。

中國是全球最大的制造國，購買的存儲芯片占全球存儲芯片市場的比例約兩成左右，如此龐大的市場對低端存儲芯片同樣有巨大的需求，這有利于國產存儲芯片企業(yè)的發(fā)展。不過國產存儲芯片企業(yè)在投產后還將面臨技術改進、良率提升的問題，它們能否如期進入大規(guī)模投產是它們面臨的下一個難題;同時存儲芯片價格存在周期性，當前高漲的價格能持續(xù)多久是個問題，如果中國存儲芯片企業(yè)投產后價格出現(xiàn)大幅下降將導致它們面臨盈利難題。

不過無論如何中國存儲芯片企業(yè)的努力將為中國制造業(yè)降低成本提高有利條件，從此前的液晶面板等產業(yè)可以看出，隨著中國產業(yè)鏈實力的增強國外的產業(yè)鏈才會給予中國品牌企業(yè)更多支持和價格優(yōu)惠，在產能供應方面也更有保證，中國應該堅定不移的支持存儲芯片產業(yè)的發(fā)展。