多場景應用,光芯片市場規(guī)模持續(xù)增長

責任編輯:zsheng

2018-11-07 13:07:47

摘自:華強電子網

從光器件產業(yè)鏈看,主要環(huán)節(jié)為“光芯片、光器件、光模塊、光設備”,最終應用于電信市場、數據中心市場及消費電子市場。其中,光芯片處于產業(yè)鏈的核心位置,具有高技術壁壘,占據了產業(yè)鏈的價值制高點。

從光器件產業(yè)鏈看,主要環(huán)節(jié)為“光芯片、光器件、光模塊、光設備”,最終應用于電信市場、數據中心市場及消費電子市場。其中,光芯片處于產業(yè)鏈的核心位置,具有高技術壁壘,占據了產業(yè)鏈的價值制高點。

光芯片主要用于光電信號轉換,遵循“Chip–OSA–Transceiver”的封裝順序,激光器芯片(Chip)通過傳統(tǒng)的TO封裝或新興的多模COB封裝形式制成光模塊(Transceiver)。在光通信系統(tǒng)中,常用的核心光芯片主要包括DFB、EML、VCSEL三種類型,分別應用于不同傳輸距離和成本敏感度的應用場景。

光芯片屬于技術密集型行業(yè),具有極高的技術壁壘和復雜的工藝流程。因此,光芯片在光器件/光模塊中成本占比較大。此外,隨著芯片速率的提升,制備難度增大,成本占比或進一步提升。一般情況下,對于低速率光模塊/光器件(轉換速率小于10Gbps),光芯片的成本占比約為30%左右;而對于高速光模塊/光器件(調制速率大于25Gbps),芯片的成本占比約為60%左右。例如,全球數通光模塊龍頭中際旭創(chuàng)(公司主力產品為100G QSFP28,采用25G光芯片),整體光芯片及組件成本占比在50%左右。相較于電芯片,目前光芯片市場規(guī)模較小,分工程度有限,垂直一體化的IDM廠商市場份額超過50%。但伴隨VCSEL芯片的消費電子市場打開,芯片市場規(guī)模加速擴展,分工程度有望提升,第三方代工模式逐漸興起。

規(guī)模:為什么市場規(guī)模加速增長且“一望無際”?

伴隨流量加速爆發(fā),光芯片市場規(guī)模加速增長:(1)電信市場:傳輸網擴容正當時,接入網逐步向10G PON升級,5G基站大規(guī)模建設或帶來超20億美元光芯片市場空間,為4G時代2.8倍。(2)數據中心市場:數據中心市場需求持續(xù)井噴。(3)消費電子市場:VCSEL芯片切入消費電子市場,市場空間拓展10-100倍。隨著硅光集成度提升帶來價值占比提升,未來成長空間“一望無際”。

1 光芯片市場規(guī)模有望持續(xù)高增長

從細分市場看,光芯片主要應用于電信市場、數據中心市場、以及消費電子市場。其中,電信市場主要應用于傳輸網、接入網以及無線基站,市場份額占比約60%左右;數據中心市場主要應用于數據中心內部互聯(lián)、連接數據中心間的DCI網絡,市場份額占比約30%左右;消費電子市場主要包括手機3D 感應系統(tǒng)(內含VCSEL芯片),市場份額占比約10%左右。對于三大細分市場的發(fā)展趨勢,我們的判斷是:電信市場近期保持穩(wěn)定,有望迎來5G高增長機遇,數據中心市場將快速增長,消費電子市場規(guī)模有望呈爆發(fā)式增長。三大細分市場共同驅動光芯片市場空間持續(xù)拓展。

根據ICCSZ統(tǒng)計,在不考慮消費電子VCSEL激光市場規(guī)模的情況下,2015年中國光器件市場規(guī)模為16.2億美元,到2020年有望達到26.8億美元,增長65.4%。若考慮消費電子VCSEL激光器,國內光芯片市場從2018年開始將加速拓展。預計光芯片在光器件的成本占比為50%,2015—2020年間國內光芯片市場規(guī)模有望從2015年的8.1億美元增長到2020年的21.4億美元,年均復合增長率高達21.4%。

2 電信市場:近期保持穩(wěn)定,有望迎5G高增長機遇

從電信市場看:有線方面,傳輸網擴容愈加緊迫,城域網100G逐漸下沉;接入網由GPON/EPON向10G PON升級。無線基站方面,目前正處于4G建設后期,需求相對疲軟。隨著5G基站大規(guī)模建設逐漸開啟,有望迎來5G高增長機遇。

2.1傳輸網擴容正當時,DFB/EML芯片需求穩(wěn)步增長

隨著流量持續(xù)增長,網絡升級將遵循:骨干網→城域網→ 接入網→ 骨干網的循環(huán)過程,對高速光芯片形成持續(xù)而穩(wěn)定的需求。

國內骨干網100G升級自2013年開始大規(guī)模進行,城域網將逐步提升100G的滲透率。自2017年8月份以來,三大運營商先后落實資金開啟傳輸網100G設備端口集采,同比去年有較大幅度的提升。我們認為,5G建設傳輸先行,隨著傳輸網擴容的持續(xù)推進,對DFB/EML芯片的需求有望持續(xù)提升。

2.2接入網向10G PON升級,DFB芯片需求有望提升

接入網用于連接傳輸網與終端,傳輸距離較短。目前,點到多點(P2MP)的光纖接入方式PON(passiveoptical network)是我國運營商采用的光纖接入方式,多采用EPON或GPON。隨著4K/8K視頻、VR/AR等技術的發(fā)展,EPON和GPON已逐漸無法適應用戶對帶寬的需求。為實現(xiàn)網路的平滑升級,PON的升級將成為關鍵因素,EPON和GPON有望向10G PON技術升級。

考慮到成本,在GPON/ EPON方面,國內大多采用FP激光器。在10G PON時代,需要采用DFB激光器。目前,國內具備自主生產DFB光芯片的企業(yè)較少,大量依賴于國外進口。隨著接入網升級的全面展開,具備10G DFB芯片量產能力的光器件廠商有望充分受益于行業(yè)需求紅利。

2.3無線基站近兩年需求放緩,5G時代芯片需求有望大幅回暖

自2015年起,4G基站建設整體進入中后期,近兩年需求有所下滑。2020年,5G規(guī)模商用開啟,有望再次拉動對光模塊的需求,市場空間超45億美元,按照芯片成本占比50%估算,市場空間超20億美元。據測算,5G基站光芯片市場規(guī)模約為4G基站2.8倍左右。與4G基站光模塊市場相比,5G基站的建設對光芯片的需求將持續(xù)提升:(1)從基站數量看:由于5G頻譜頻率上升,信號穿透建筑物的衰減較大,建站密度與4G基站相比將更高。預計未來6年內(2019—2024)有望建設581.4萬個5G基站,密度是4G基站數的1.36倍。(2)從單基站光模塊數看:5G基站架構從4G的前傳-回傳演進到前傳—中傳—回傳,單個基站需要的光模塊數有望達8—10個,較4G基站有所增加。

芯片方面,5G基站前傳至少為25G QSFP 28,主要采用DBF/EML芯片。中傳回傳有望采用10G SFP+光模塊,主要采用DBF/EML芯片。目前正處于4G基站與5G基站建設交替期,需求階段性放緩。而隨著5G商用將至,對于光芯片的需求將大幅提升,相關光芯片廠商有望迎接5G時代的高增長機遇。

3 數據中心市場規(guī)模有望快速增長

隨著大數據時代的來臨,數據中心建設在全球范圍內興起。2017年全球數據中心數量達到840萬座,其中美國占據全球近一半的數據中心,成為過去幾年數據中心市場增長的主要驅動力。2012—2017年,全球IDC市場規(guī)模的復合增長率為15.94%;同期,中國IDC市場規(guī)模的復合增長率高達35.02%,高于全球增速19.08個百分點。

2017年,中國IDC市場規(guī)模達946.1億元,2018年有望超過1200億元。我們認為,數據中心市場規(guī)模及其營收占比持續(xù)提升,將接力電信市場,成為未來五年驅動光器件行業(yè)規(guī)模擴張的重要動力。

在光器件市場中,數據中心市場占整個光器件市場的近1/3。根據LightCounting預測,2019年數據中心光模塊銷量有望超過5000萬個,市場規(guī)模有望從2014年的16億美元增加2021年的49億美元。從應用場景看,光芯片在數據中心主要可以分為兩類:數據中心內部互聯(lián)(主要采用VCSEL芯片)以及DCI網絡(主要采用DFB/EML芯片)。

3.1 數據中心內部市場的發(fā)展有望提升VCSEL/DFB芯片的需求

數據中心內部連接距離相對短,以850nm的VCSEL和1310nm的DFB芯片為主。其中,100GAOC和100G SR4主要以VCSEL芯片為主,100G PSM4和100G CWDM4主要以DFB芯片為主。

隨著數據中心承載的功能逐漸增加,數據中心內部傳統(tǒng)的三層網絡架構(接入層、中層的匯聚層)逐漸難以適應內部流量集中的趨勢,帶寬壓力持續(xù)增大,新型分布式數據中心葉脊式網絡架構興起。葉脊拓撲網絡是兩層結構,包括脊交換機和葉交換機,數據中心與外部的連接可以通過(邊緣)脊交換機或(邊緣)葉交換機實現(xiàn)。在該結構下,每臺脊交換機與每臺葉交換機之間都要進行連接。與傳統(tǒng)網絡層相比,葉脊網絡擴大了接入層、匯聚層與主機之間的連接數。因此,在數據傳輸的效率得到提升的同時,對于光模塊的需求也大大增加。

2020年光芯片市場空間測算:核心假設:1、新架構為1:1收斂比的二層脊葉型數據中心;2、數據中心使用10G和100G兩種端口;3、單臺葉交換機下連兩個機柜共20臺服務器,單臺脊交換機下連10臺葉交換機。在此假設下,100萬服務器的數據中心需要200萬/20*40=400萬個10G光模塊,200萬/20/10*40=40萬個100G光模塊。根據Ovum,到2020年全球新增100個數據中心(100萬臺服務器),則市場空間高達120億美元。我們假設VCSEL芯片在光模塊中的成本占比約35%,則2020年VCSEL芯片在數據中心內部的市場規(guī)模約為42億美元。

3.2 數據中心互聯(lián)(DCI網絡)市場規(guī)模發(fā)展將帶來DFB/EML芯片需求

流量爆發(fā)引起網絡結構變化,驅動數據中心互聯(lián)(DCI)市場呈高速發(fā)展趨勢。目前,由于不同地區(qū)數據中心之間的信息需要通過電信骨干網相連,因此傳輸時延和傳輸成本無形之中大大增加。隨著數據中心流量的爆發(fā),骨干網的帶寬成為限制數據互訪流量爆發(fā)的瓶頸。在此背景下,DCI網絡在不同地區(qū)的數據中心之間重新建立新的傳輸通道,將極大地提升數據中心之間的傳輸效率,同時減少骨干網的傳輸壓力。DCI網絡需要滿足兩點:(1)要求網絡架構采用DC間一跳直達的全互聯(lián)、扁平化網絡,滿足低時延要求。(2)要求網絡架構具備高密度100GE端口,及面向1T、2T的平臺平滑演進能力。

DCI網絡主要采用WDM系統(tǒng)(包括CWDM和DWDM),按距離可分為同一城市內互聯(lián)和城市間互聯(lián)。前者對應的傳輸距離一般在40公里以內,主要用到DFB芯片;后者對應的傳輸距離一般在為幾百公里,主要用到EML芯片。隨著DCI網絡建設的逐步推進,對于高速光芯片的需求有望快速增長。根據Ovum測算,2014年全球DCI市場規(guī)模約25億美元,2019年有望達到42億美元。我們假設DCI網絡建設中,光芯片在光模塊中的成本占比為50%,DCI網絡的光芯片市場規(guī)模有望從2014年的12.5億美元增長到2019年的21億美元。

鏈接已復制,快去分享吧

企業(yè)網版權所有?2010-2024 京ICP備09108050號-6京公網安備 11010502049343號