北京時間7月25日消息，三星宣布，旗下高密度的LPDDR3芯片即將量產(chǎn)，該內(nèi)存模組的數(shù)據(jù)傳輸速率最高能達到2133Mbps。目前手機中使用的是2GB封裝芯片。

據(jù)三星介紹，LPDDR3芯片模組由6顆20納米4GB內(nèi)存芯片分兩列堆疊而成，厚度僅為0.8毫米，數(shù)據(jù)傳輸速率為2133Mbps。3GB LPDDR3內(nèi)存連接到移動應用處理器，它由兩個對稱的數(shù)據(jù)傳輸通道組成，每個連接1.5GB存儲部分。非對稱數(shù)據(jù)流會導致某些設定下性能大降，對稱架構可以避免此類問題，將性能提高到最高水平。

業(yè)界人士表示，LPDDR3芯片即將量產(chǎn)，意味著下一代高端智能手機將有望采用3GB內(nèi)存。采用這種芯片的智能手機將更加輕薄，并能提升電池容量。此外，更大、更快的內(nèi)存芯片，還能夠更好地支持多任務處理、視頻播放，并給需要大容量內(nèi)存的應用帶來更出色的表現(xiàn)。

三星還表示，該公司目前正在開發(fā)另一個版本的芯片產(chǎn)品，該芯片產(chǎn)品使用了4顆6GB內(nèi)存芯片進行堆疊，開發(fā)成功后將能夠進一步提升產(chǎn)品性能。

三星表示，新開發(fā)的內(nèi)存芯片不僅可以用在智能手機上，平板電腦未來同樣也可以使用這種芯片。

從今年下半年開始，最新的、最高端的智能手機就會采用3GB內(nèi)存，明年大多的高端手機都會采用。

（Risen）