格羅方德欲奪取臺(tái)積電晶圓代工龍頭地位

責(zé)任編輯:楊傳波

2013-09-02 09:37:22

摘自:OFweek電子工程網(wǎng)

晶圓代工廠格羅方德技術(shù)長(zhǎng)蘇比日前來(lái)臺(tái),喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭,繼14納米XM明年量產(chǎn),10納米2015年推出,此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年,也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。

晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長(zhǎng)蘇比(SubiKengeri)日前來(lái)臺(tái),喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭,繼14納米XM明年量產(chǎn),10納米2015年推出,此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年,也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。

格羅方德2009年由美商超微獨(dú)立而出,2010年并購(gòu)前特許半導(dǎo)體,蘇比表示,2009年剛獨(dú)立時(shí),公司僅是全球第四大晶圓代工廠,但憑著超微在處理器技術(shù)的設(shè)計(jì)能力,加上先前新加坡特許半導(dǎo)體在晶圓代工服務(wù)客戶(hù)經(jīng)驗(yàn),ICInsights統(tǒng)計(jì),2012年公司躍進(jìn)晶圓二哥,與臺(tái)積電同列晶圓雙雄。

公司企圖不只于此,蘇比看好行動(dòng)裝置電子產(chǎn)品內(nèi)建芯片對(duì)晶圓先進(jìn)制程的需求有高度成長(zhǎng),2011年到2016年,40納米以下先進(jìn)制程的晶圓復(fù)合成長(zhǎng)率有37%,到2016年產(chǎn)值將占全球晶圓代工比重高達(dá)60%。

為了搶攻這波行動(dòng)商機(jī),格羅方德去年推出14納米XM制程、2014年量產(chǎn)后,10納米2015年量產(chǎn),兩種制程都導(dǎo)入鰭式晶體管(Finfet).

格羅方德的10納米與14納米XM都是所謂的混合制程,例如14納米就是采用20納米的設(shè)備與設(shè)計(jì)工具做出線寬14納米的芯片,10納米就是運(yùn)用14納米的設(shè)備與設(shè)計(jì)工具,制造線寬約當(dāng)10納米的芯片。

相較于臺(tái)積電不做14納米制程,而是推出16納米Finfet,蘇比說(shuō)明,公司之所以作14納米,因?yàn)橛⑻貭柌粩噙M(jìn)軍行動(dòng)市場(chǎng),公司的客戶(hù)感受到壓力。

格羅方德預(yù)計(jì)20納米下半年推出,與臺(tái)積電幾乎同步,公司12寸產(chǎn)能有德國(guó)德勒斯登的晶圓一廠(Fab1)與紐約八廠(Fab8),各有4萬(wàn)片與6萬(wàn)片月產(chǎn)能,其中,F(xiàn)ab8將導(dǎo)入28納米以下最先進(jìn)制程。

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