農(nóng)歷新年剛過(guò)，IoT圈就迎來(lái)了不少好消息，例如3GPP官方敲定了5G的logo，5G的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程又進(jìn)了一步；而愛(ài)立信和IBM合作推出的5G毫米波相控陣IC更是在5G的商用之路上邁出了一大步。除此之外，還有國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體圈的重大簽約消息...具體發(fā)生了那些事？和雷鋒網(wǎng)IoT科技評(píng)論君一起回顧一下吧！

5G終于有l(wèi)ogo了，只是LTE-A的演進(jìn)版本？

本周三，國(guó)際通信標(biāo)準(zhǔn)組織3GPP咋在毫無(wú)征兆的情況下嚴(yán)肅地宣布了5G的官方logo！話不多說(shuō)，先上圖，大家感受感受：

如果對(duì)比4G LTE的logo，你就可以發(fā)現(xiàn)5G的logo也沿用了部分4G LTE-Advanced Pro的logo設(shè)計(jì)。3GPP表示，5G logo的設(shè)計(jì)是建立在現(xiàn)有的LTE的新設(shè)計(jì)之上，并使用LTE-Advanced Pro的綠色標(biāo)志突出技術(shù)的不斷進(jìn)化。

3GPP官方表示，該5G logo將使用于Release 15、Release 16以及后續(xù)相關(guān)5G標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中。根據(jù)3GPP之前的規(guī)定，5G標(biāo)準(zhǔn)第一個(gè)版本將于2018年9月完成，也就是Release-15，主要為了滿(mǎn)足比較急迫的商業(yè)需求；而5G標(biāo)準(zhǔn)第二個(gè)版本將于2020年3月完成，稱(chēng)為Release-16，將滿(mǎn)足IMT 2020提出的目標(biāo)和所有可識(shí)別的用例與需求。這就意味著從現(xiàn)在開(kāi)始，它將成為3GPP官方唯一指定logo。

在logo敲定之后，5G的標(biāo)準(zhǔn)制定工作可以說(shuō)是萬(wàn)事俱備只欠東風(fēng)了。當(dāng)然，如果你認(rèn)為一個(gè)logo還不足以代表5G落地的整體進(jìn)展，那么不妨看看IBM和愛(ài)立信在5G上用時(shí)兩年的合作成果。

5G新進(jìn)展，IBM和愛(ài)立信攜手推出硅基毫米波相控陣集成電路

IBM和愛(ài)立信（Ericsson）周二聯(lián)合發(fā)布公告，正式宣布成功推出了應(yīng)用于未來(lái)5G基站的硅基毫米波相控陣集成電路。

根據(jù)公告，該相控陣集成電路在28GHz毫米波頻率下工作，并已經(jīng)在相控陣列天線模塊中成功演示，為未來(lái)5G網(wǎng)絡(luò)鋪平了道路。該產(chǎn)品是兩家公司歷時(shí)兩年的合作成果（早在2014年11月底兩家公司就展開(kāi)了關(guān)于5G天線研發(fā)的合作），它結(jié)合了IBM在高集成相控陣毫米波集成電路和天線封裝解決方案的優(yōu)勢(shì)，以及愛(ài)立信在設(shè)計(jì)移動(dòng)通信電路和系統(tǒng)的技術(shù)積累。

IBM官方表示，這個(gè)模塊包含四個(gè)單片集成電路和64個(gè)雙極化天線，模塊尺寸約為2.8 英寸*2.8英寸（約 7.1 厘米*7.1 厘米），幾乎是主流手機(jī)一半的大小，IBM表示這是支持5G廣泛部署的必要尺寸，尤其是在室內(nèi)空間和密集的大城市區(qū)域內(nèi)。

IBM還指出，相控陣列天線模塊的并行雙極化運(yùn)作方式能夠形成兩個(gè)波束，同時(shí)保持接受和發(fā)送模式，進(jìn)而使服務(wù)的用戶(hù)數(shù)量增加一倍，該設(shè)計(jì)同時(shí)還支持低于1.4度的波束掃描精度。

根據(jù)IBM的介紹，該相控陣集成電路基于公司此前的毫米波工作基礎(chǔ)上，包括2006年開(kāi)發(fā)的單片毫米波無(wú)線電，2013年面向移動(dòng)和雷達(dá)推出的高度集成毫米波相控陣列接收器，以及移動(dòng)手機(jī)如何在毫米波頻率下進(jìn)行通訊的相關(guān)探索和研究。

在舊金山召開(kāi)的2017國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，IBM還披露了一份描述IBM和愛(ài)立信如何合作開(kāi)發(fā)該相控陣集成電路的文件，文件標(biāo)題為《A 28GHz 32-Element Phased-Array Transceiver IC with Concurrent Dual Polarized Beams and 1.4 Degree Beam-Steering Resolution for 5G Communications》。

當(dāng)然，如果你以為研究機(jī)構(gòu)只對(duì)5G感興趣，那就大錯(cuò)特錯(cuò)了！

比5G還要快10倍，這項(xiàng)技術(shù)可能在2020年問(wèn)世

研究人員已經(jīng)研發(fā)出一種太赫茲發(fā)射器，該發(fā)射器的數(shù)據(jù)傳輸速度要比5G至少快10倍，而該技術(shù)有望在2020年實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。

為期五天的2017國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 （ ISSCC） 將于2月5號(hào)到9號(hào)在加利福尼亞州的舊金山舉行，根據(jù)安排，太赫茲發(fā)射器將會(huì)在這次電路會(huì)議上被展示，這種傳送機(jī)能夠?qū)⒁粋€(gè)DVD上的全部?jī)?nèi)容瞬間發(fā)送完畢。（編者注：太赫茲頻率是一種新的巨大頻率資源，有望在未來(lái)應(yīng)用于超高速無(wú)線通信。）

Minoru Fujishima 是日本廣島大學(xué)的教授，也是太赫茲研究者之一。他說(shuō)：“太赫茲也能與衛(wèi)星進(jìn)行超高速連接，而與衛(wèi)星的連接，只能通過(guò)無(wú)線。這也有好處，比如，它極大地促進(jìn)了動(dòng)態(tài)網(wǎng)絡(luò)連接的發(fā)展。其它可能的應(yīng)用包括快速將資源下載到移動(dòng)設(shè)備，基站之間實(shí)現(xiàn)超快速無(wú)線連接。”

據(jù)了解，該研究小組研發(fā)的是一款頻率在290GHz 到 315GHz 的發(fā)射器，能夠?qū)崿F(xiàn)105Gbps的通信速度。雖然這個(gè)范圍的頻段現(xiàn)在還沒(méi)有被分配，但值得注意的是它處于275GHz 到 450GHz 范圍內(nèi)，該頻段將在國(guó)際電信聯(lián)盟無(wú)線電通信部門(mén)組織的2019世界無(wú)線電大會(huì)上進(jìn)行討論。

雷鋒網(wǎng)還了解到，去年該研發(fā)小組就曾向大家展示了通過(guò)使用正交調(diào)幅（QAM）大幅提高300GHz 頻率的無(wú)線連接速度的研究成果。今年，他們展示的是更快的發(fā)射器，單個(gè)通道數(shù)據(jù)速率比之前快六倍。作為集成電路發(fā)射器，它首次實(shí)現(xiàn)單個(gè)通道速率超過(guò)100 Gbps.

“今年我們新研發(fā)的發(fā)射器，傳送功率比之前的要高十倍。這使得 300GHz 的單個(gè)通道數(shù)據(jù)速率超過(guò)100 Gbit/s 成為可能。”Fujishima 如此表示。

他還說(shuō)道：“我們通常討論兆位每秒或吉比特每秒的無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸速率，但是現(xiàn)在我們正接近利用簡(jiǎn)單的單一通信通道實(shí)現(xiàn)太比特每秒的傳輸速率。”接下來(lái)，廣島大學(xué)、日本國(guó)家信息與通信研究所以及松下電器的研究小組計(jì)劃進(jìn)一步研發(fā)300GHz 的超高速無(wú)線電路。

把視線拉回到國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體圈，以下幾起焦點(diǎn)事件也引起了業(yè)界的熱議。

Global Foundries“變身”格芯，12寸晶圓廠落戶(hù)成都

在本周五上午，全球第二大晶圓廠Global Foundries在成都高新區(qū)正式宣布，將攜手成都市成立合資公司——格芯（成都）集成電路制造有限公司，并在成都建立全新的合資晶圓廠。

據(jù)雷鋒網(wǎng)(公眾號(hào)：雷鋒網(wǎng))了解，格芯成都是中國(guó)最大的12寸晶圓廠，投資規(guī)模累計(jì)超過(guò)100億美元，預(yù)計(jì)年產(chǎn)量將達(dá)到100萬(wàn)片。按照其官方的計(jì)劃，第一期建設(shè)CMOS工藝產(chǎn)線，主要為180nm和130nm，引自新加坡技術(shù)，產(chǎn)能每月2萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2018年底投產(chǎn)；第二期22FDX，引自德國(guó)技術(shù)，產(chǎn)能每月6.5萬(wàn)片，2019年下半年投產(chǎn)。這樣算下來(lái)，一期二期完成后，總產(chǎn)能將達(dá)到8.5萬(wàn)片/月。

眾所周知，晶圓尺寸越大，單一晶圓片上可生產(chǎn)的IC芯片就越多，但對(duì)材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)的要求更高，目前的晶圓尺寸有4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸甚至更大的規(guī)格，而12英寸可以說(shuō)是當(dāng)下最最主流的尺寸，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告，到2020年12英寸晶圓的比例將達(dá)到68%。

值得一提的是，Global Foundries還宣布，未來(lái)在中國(guó)市場(chǎng)將啟用全新的名字——格芯，而放棄了此前大家所熟知的格羅方德。

格芯首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示：“為滿(mǎn)足全球客戶(hù)群的需求，我們將不斷在產(chǎn)能和技術(shù)上進(jìn)行投資。從應(yīng)用于無(wú)線互聯(lián)設(shè)備的世界頂級(jí) RF-SOI 平臺(tái)，到占據(jù)科技前沿的 FD-SOI 和FinFET工藝路線圖，這些均見(jiàn)證了市場(chǎng)對(duì)于我們主流工藝和先進(jìn)工藝技術(shù)的強(qiáng)勁需求。新投資將有助格芯擴(kuò)張現(xiàn)有的晶圓制造廠。通過(guò)此次在成都的合作計(jì)劃，我們將穩(wěn)固，并進(jìn)一步加速在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展。”

格芯此前曾公布了一組數(shù)據(jù)：22nm FD-SOI工藝功耗比28nmHKMG降低了70%，芯片面積比28nmBulk縮小了20%，光刻層比FinFET工藝減少接近50%，芯片成本比16/14nm FinFET低了20%。如果該數(shù)據(jù)屬實(shí)，那么22nm FD-SOI的性能甚至可以與14/16nm FinFET持平，而芯片的成本卻與28nm相當(dāng)。

半導(dǎo)體資深人士莫大康也曾表示，相比FinFET，F(xiàn)D-SOI根據(jù)功耗和綜合成本優(yōu)勢(shì)，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，發(fā)展FD-SOI制程工藝是中國(guó)集成電路追趕國(guó)際先進(jìn)水平的機(jī)會(huì)。

先進(jìn)半導(dǎo)體人事變動(dòng)：武漢新芯前COO洪沨擔(dān)任CEO

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造商——上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司日前發(fā)布公告表示，武漢新芯前COO洪沨博士將加入該公司，并擔(dān)任CEO一職。

據(jù)了解，先進(jìn)半導(dǎo)體已經(jīng)洪與洪沨簽訂了合同，合同期限為2017年2月6日至2020年2月5日。根據(jù)該合同，洪沨的年薪為2,112,768元人民幣。根據(jù)先進(jìn)半導(dǎo)體的公告，洪沨擔(dān)任公司CEO一職后，公司副總裁周衛(wèi)平將不再負(fù)責(zé)總裁職權(quán)。

先進(jìn)半導(dǎo)體的前身為1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司，該公司1995年易名為上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司，2004年才改制為上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司。根據(jù)其官方的介紹，這家本土半導(dǎo)體制造商擁有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線和MEMS獨(dú)立生產(chǎn)線各一條，專(zhuān)注于模擬電路、功率器件和MEMS芯片的制造，年生產(chǎn)大規(guī)模集成電路芯片近80萬(wàn)片。

洪沨于1983年獲得復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)士學(xué)位，于1986年獲得復(fù)旦大學(xué)電子工程碩士學(xué)位，于1993年獲得美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)材料科學(xué)與工程博士學(xué)位，此后，他供職于多家國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體廠商。