HBM關(guān)鍵字列表
業(yè)界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年，當(dāng)時(shí)的說法是2014年就將啟動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)制定，但GDDR5之后A N兩家先后用上了HBM和GDDR5X，也不見GDDR6的蹤影。我們以一張256bit的顯卡來看，總帶寬最高可達(dá)512GB s，完全媲美HBM一代顯存了，甚至看齊AMD的縮水二代。
三星海力士正在開發(fā)密度更高/速度更快/成本更低的第三代HBM
盡管市面上還沒有太多使用高帶寬顯存（HBM）的產(chǎn)品，但這并不能阻擋三星和海力士繼續(xù)開發(fā)第三代HBM芯片。代HBM技術(shù)可將單片顯存容量提升到16Gb（第2代HBM技術(shù)為 8Gb），并且最高支持8片堆疊——配備64GB顯存的顯卡將成為現(xiàn)實(shí)。
認(rèn)識(shí)HBM vs. HMC：顛覆性能的兩種服務(wù)器內(nèi)存類型
摘要：數(shù)據(jù)中心硬件買家可以評(píng)估兩種新興的服務(wù)器類型內(nèi)存，搭建未來高性能系統(tǒng)。高帶寬內(nèi)存(HBM)是一種用于支持內(nèi)存設(shè)備數(shù)據(jù)吞吐量的高性能接口，其性能遠(yuǎn)超常規(guī)形式的內(nèi)存。
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