TSV關(guān)鍵字列表

  • 東芝通過硅穿孔技術(shù)來提升3D NAND效率

    硬件發(fā)燒友們一直期待著更快、更實(shí)惠、更可靠的存儲(chǔ)產(chǎn)品，而大型數(shù)據(jù)中心則更關(guān)注與能源效率。TSV 是指垂直通過硅芯片的電氣連接，東芝稱這種制造方法有助于提升能源效率和帶寬。

    2017-07-12

    NAND 東芝 TSV

  • 半導(dǎo)體業(yè)正處于關(guān)鍵轉(zhuǎn)折期

    此次中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)欲同樣采用發(fā)展存儲(chǔ)器來打翻身仗，所以不可避免地會(huì)引起全球半導(dǎo)體業(yè)界的巨大反響。近期全球半導(dǎo)體業(yè)中出現(xiàn)許多大規(guī)模兼并，表明企業(yè)都在尋找出路，也可以認(rèn)為半導(dǎo)體業(yè)正處于關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折期，預(yù)示著一場(chǎng)大的變革即將來臨。

加載更多
loading

企業(yè)網(wǎng)版權(quán)所有?2010-2024 京ICP備09108050號(hào)-6京公網(wǎng)安備 11010502049343號(hào)