快充關(guān)鍵字列表
中國(guó)電源芯片創(chuàng)新打動(dòng)美國(guó)高通 實(shí)現(xiàn)3口同時(shí)快充
今日,國(guó)內(nèi)知名電源芯片企業(yè)英集芯公司CEO通過(guò)朋友圈透露:IP5328通過(guò)高通QC3 0認(rèn)證,市面上唯一支持3口盲插QC快充
新發(fā)現(xiàn):有望實(shí)現(xiàn)鈉離子電池高容量與快充兼得
合肥工業(yè)大學(xué)18日消息,該??蒲腥藛T成功制備一種新型碳負(fù)極材料,該材料有望實(shí)現(xiàn)鈉離子電池的高容量與快充的兩者兼得。
東芝公司企業(yè)研發(fā)中心主任Osamu Hori表示:“我們對(duì)新的鈦鈮氧化物陽(yáng)極材料和下一代SCiB的潛力感到非常興奮?!薄?/p>
一般快充的定義為在短時(shí)間內(nèi)可以給電池充入大量電能,而對(duì)具體充電時(shí)間和電池荷電狀態(tài)沒(méi)有統(tǒng)一的規(guī)定。歐姆定律告訴我們:電壓=電阻*電流,即電壓一定時(shí),電阻和電流成反比;電阻一定時(shí):電壓和電流成正比。
2015—2016年中國(guó)鋰動(dòng)力電池消費(fèi)結(jié)構(gòu) 在市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)大的趨勢(shì)下,實(shí)現(xiàn)電動(dòng)公交車高續(xù)航里程以及快速充電性能日益迫切。
10nm工藝驍龍835首現(xiàn)身 同時(shí)支持最新快充4.0
17日,高通公司宣布將與三星電子合作開發(fā)下一代旗艦級(jí)處理器驍龍835,據(jù)稱835將采用三星最先進(jìn)的10nm制造工藝。由于采用全新的10納米制程工藝,高通方面表示驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能,從而提升移動(dòng)設(shè)備的用戶體驗(yàn)。
谷歌或在未來(lái)安卓版本中禁用高通聯(lián)發(fā)科等快充技術(shù)
據(jù)美國(guó)知名科技網(wǎng)Android central11月8日?qǐng)?bào)道,谷歌公布新版安卓兼容性定義文件,針對(duì)快充問(wèn)題警告手機(jī)制造商盡量不要使用非標(biāo)準(zhǔn)USB充電
高通要搞大新聞!10nm工藝驍龍835首現(xiàn)身,同時(shí)支持最新快充4.0
17日,高通公司宣布將與三星電子合作開發(fā)下一代旗艦級(jí)移動(dòng)處理器驍龍835,據(jù)稱835要采用三星最先進(jìn)的10nm制造工藝。由于采用全新的10納米制程工藝,高通方面表示驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能,從而提升移動(dòng)設(shè)備的用戶體驗(yàn)。
10月9日消息,目前高通Quick Charge快充技術(shù)已經(jīng)發(fā)展至第三代,有5V2 5A、9V2A、12V1 5A三種主要方案,最大輸出功率為18W。
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