威剛工控發(fā)表112層3D NAND (BiCS5) 31C系列固態(tài)硬盤

一幅漫畫帶你了解什么是NAND閃存，為什么物聯(lián)網(wǎng)需要它

集英特爾傲騰技術(shù)和英特爾QLC NAND技術(shù)為一體的固態(tài)盤全新上市

英特爾今日公布了英特爾?傲騰?混合式固態(tài)盤的詳細(xì)信息，這款創(chuàng)新的設(shè)備采用M 2規(guī)格，體積小巧，將英特爾傲騰技術(shù)的卓越響應(yīng)速度與英特爾? Quad Level Cell (QLC) 3D NAND技術(shù)的強(qiáng)大存儲容量融為一體。

存儲領(lǐng)域競爭加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化

縮減三成芯片尺寸！全球首款96層4D NAND年內(nèi)量產(chǎn)

SK海力士昨日宣布推出全球首款基于TLC(三級單元)陣列的96層512Gb CTF(電荷儲存式快閃存儲器)4D NAND閃存，采用3D CTF設(shè)計(jì)與PUC(Peri Under Cell)技術(shù)，并將在今年年底于近期完工的清州工廠M15進(jìn)行量產(chǎn)。

紫光64層3D NAND芯片專利開發(fā)完成 2020年量產(chǎn)

盛會“快閃存儲器高峰會”(FlashMemorySummit)正式公布64層3DNAND芯片專利，向全球展現(xiàn)大陸已具備自主研發(fā)快閃存儲器技術(shù)能力，并追上主流產(chǎn)品腳步，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)，加入全球列強(qiáng)競逐快速成長的NAND芯片市場。

明年上半年DRAM繼續(xù)吃緊、NAND恐供大于求

DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。

英特爾和鎂光宣布停止合作開發(fā)下一代NAND內(nèi)存

據(jù)外媒報道，英特爾和鎂光宣布，它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存。”　　對于行業(yè)觀察家來說，這兩家公司分道揚(yáng)鑣并不令人感到驚訝，因?yàn)橛⑻貭柡玩V光近些年均建立了各自的生產(chǎn)廠。

NVMe將推動新一代固態(tài)存儲器發(fā)展

除了NVMe以外，以DIMM為基礎(chǔ)的NAND Flash存儲器匯流排裝置，以及其他非揮發(fā)性固態(tài)儲存技術(shù)，也將在企業(yè)儲存市場發(fā)揮相當(dāng)大的影響力。

英特爾與鎂光將結(jié)束閃存合作 或在制程工藝上存在分歧

據(jù) AnandTech 報道，英特爾（Intel）與鎂光（Micron）之間維持了很長一段時間的 NAND 閃存開發(fā)與制造合作，將很快迎來終結(jié) —— 兩家公司將在 2018 年底或 2019 年初推出第三代 3D NAND Flash 之后分道揚(yáng)鑣。

3D NAND為實(shí)現(xiàn)四級單元提供了可行性

關(guān)于四級單元閃存糾錯問題的潛在解決方法。

TrendForce：2018年NAND Flash價格有望縮減10%-20%

TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NAND Flash價格有機(jī)會走跌，下半年需求回升，可能再次供不應(yīng)求，預(yù)估2018年NAND Flash ASP(平均銷售單價)將較2017年縮減10%-20%。

中國存儲器芯片市場風(fēng)云迭起 誰將成為“攪局者”？

隨著全球信息化浪潮的不斷涌起，智能手機(jī)、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域迎來高速發(fā)展契機(jī)。從國內(nèi)存儲器廠商的發(fā)展情況來看，主要面臨的機(jī)遇有以下四點(diǎn)：　　其一，全球存儲器芯片價格持續(xù)走高、市場供不應(yīng)求的趨勢；

三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？

韓媒BusinessKorea 5日報導(dǎo)(見此)，IHS Markit報告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39 6%、至2,441億GB。在此之前，另一韓媒也說，三星平澤廠二樓主要用于生產(chǎn)DRAM，但是警告此舉也許會讓DRAM供過于求。

三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩

IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。在晶圓代工方面，IC Insights表示，三星將投入50億美元擴(kuò)增10奈米制程產(chǎn)能。

NAND Flash明年恐進(jìn)入淡季循環(huán)

TrendForce調(diào)查指出，手機(jī)和服務(wù)器供需缺口擴(kuò)大，第3季NAND Flash品牌商營收季增14 3%，但到明年上半年產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入淡季循環(huán)，市場局勢將轉(zhuǎn)為供過于求。

Q3 NAND Flash廠營收季增14.3% 2018年后市場轉(zhuǎn)為供過于求

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新報告指出，受傳統(tǒng)旺季、智能手機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心對SSD需求拉升等因素影響

西部數(shù)據(jù)財(cái)報搶眼 但東芝談判案或?qū)⒂绊懫銷AND供應(yīng)

西部數(shù)據(jù)的收入和利潤在2018財(cái)年第一季度都有所增長，但對東芝談判的失敗可能會在法庭上敗訴，影響對96層3D NAND業(yè)務(wù)

觀存儲器產(chǎn)業(yè)：DRAM報價仍有上漲空間 NAND持續(xù)穩(wěn)定成長

尤其到了第3季旺季，存儲器需求更是熱絡(luò)，報價持續(xù)走揚(yáng)，預(yù)期2017年對于存儲器產(chǎn)業(yè)來說將是豐收的1年，受惠智能手機(jī)存儲器容量升級，服務(wù)器 數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁需求

群聯(lián)Q3旺季降溫、Q4轉(zhuǎn)淡；明年貨源足、營收看增

展望明年?duì)I運(yùn)，上半年產(chǎn)業(yè)淡季使NAND Flash價格上漲不易，不過由于3D產(chǎn)能開出，NAND Flash貨源轉(zhuǎn)為充足下，估明年?duì)I收可維持成長。 法人預(yù)期，第三季在客戶轉(zhuǎn)觀望下，預(yù)營收較前季僅個位數(shù)季增，而第四季逐漸步入淡季，營收將較前季往下。