Flash內(nèi)存關(guān)鍵字列表
紫光定目標(biāo)：三年追上高通聯(lián)發(fā)科，10年全球存儲(chǔ)器前五
作為國(guó)內(nèi)知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，紫光董事長(zhǎng)趙偉國(guó)在日前接受日經(jīng)新聞網(wǎng)采訪時(shí)表示，紫光集團(tuán)在移動(dòng)芯片業(yè)務(wù)方面，到2020年時(shí)大幅縮小與全球兩大手機(jī)芯片商美國(guó)高通、臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科技距離。
實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的關(guān)鍵 ReRAM的現(xiàn)狀及未來(lái)解讀
現(xiàn)階段業(yè)界也在尋找可大幅降低物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備能源消耗的辦法，為此業(yè)界發(fā)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)芯片中內(nèi)嵌“可變電阻式內(nèi)存”(ReRAM)，有助達(dá)成此一節(jié)能目標(biāo)。
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