英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購并國際整流器(IR)，創(chuàng)下該公司有史以來最高收購金額，藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線、核心技術(shù)及銷售通路，強化在各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的市場地位。

英飛凌執(zhí)行長ReinhardPloss表示，收購國際整流器是一個不可多得的機會；國際整流器公司的員工對于客戶需求的豐富經(jīng)驗與應(yīng)用的掌握度，將有助英飛凌從功率半導(dǎo)體至系統(tǒng)方案的戰(zhàn)略性發(fā)展。兩家公司的產(chǎn)品、技術(shù)、創(chuàng)新的整合，以及銷售通路的實力，日后將會發(fā)揮巨大的潛力。

英飛凌將國際整流器納入麾下，將是其擴張市場勢力版圖的關(guān)鍵一著。透過此收購案，英飛凌不僅能讓旗下的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品更具經(jīng)濟規(guī)模，并擁有更大的銷售市場，日后亦能提供客戶更廣泛的創(chuàng)新產(chǎn)品和服務(wù)。

更重要的是，國際整流器擁有標榜低功耗和高效能的IGBT、智慧化功率模組(IntelligentPowerModule)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)、數(shù)位電源管理IC及GaN功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品線和研發(fā)能量，與英飛凌的電源管理方案產(chǎn)品組合有極高的互補性。另外，雙方合并后，也將進一步加速提高英飛凌在300毫米(mm)薄晶圓的產(chǎn)能。

其中，GaN功率半導(dǎo)體可提供較傳統(tǒng)MOSFET更高的效率和切換速度，能迎合太陽能逆變器、電動車鋰電池等高效能電子產(chǎn)品的性能訴求，早已是功率半導(dǎo)體廠群起攻之的市場，英飛凌當然亦不例外。

也因此，英飛凌購并國際整流器后，可望加速鞏固在GaN分離元件和系統(tǒng)方案市場的地位，并持續(xù)增強此具備重要戰(zhàn)略意義的技術(shù)平臺能量。此外，本次交易亦將讓英飛凌成為可提供完整矽、碳化矽(SiC)及GaN功率半導(dǎo)體元件和IC的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商。