隨機讀取IOPS高達七十五萬——這樣的性能水平是否能吸引到大家的關注?HGST公司最近剛剛推出了其NVMeUltrastar SN100 PCI閃存卡,這款產(chǎn)品最初于七個月前得到正式公開。
其速度與傳輸能力都擁有令人印象深刻的表現(xiàn),HGST公司則表示該產(chǎn)品是“業(yè)界性能最高的NVMe兼容式SSD系列方案。”其具體規(guī)格包括:
采用MLC閃存(我們認為很可能由東芝公司提供)的HH-HL PCIe第三代四通道產(chǎn)品提供1.6TB及3.2TB容量。
配備PCIe接口的2.5英寸可熱插拔SSD產(chǎn)品容量分別為800GB、1.6TB以及3.2TB。
4K隨機讀取IOPS最高可達74萬3千。
4K隨機寫入IOPS最高可達16萬。
連續(xù)讀取帶寬最高可達3GB每秒。
Up連續(xù)寫入帶寬最高可達1.6GB每秒。
延遲為20微秒。
提供五年質保服務。
耐久性為每天三次全盤寫入。
這臺設備提供31萬混合型讀取/寫入(二者比例為七比三)IOPS。HGST公司還擁有自己的Flash Software Suite以及Device Manager軟件,能夠配合SN100產(chǎn)品為服務器端閃存配置方案提供集群化、可擴展能力、高可用性以及可管理能力。
HGST SN100系列產(chǎn)品
標題所指的是SN100的隨機讀取IOPS表現(xiàn)。相比之下,EMC的VFCache能夠提供71萬5千IOPS,因此SN100仍然在速度方面更勝一籌。SanDisk的ioDrive 2 Duo在這方面的成績?yōu)?0萬,亦需臣服于HGST面前。美光的P420m與三星的3D V-NAND SM1715在4K隨機讀取情況下皆能提供75萬IOPS,而且后者還擁有更為出色的耐久性水平——在為期五年的質保周期內,其每天可進行十次全盤寫入操作。從這方面看,二者都比Ultrastar SN100略勝一籌。
NVMe型號的出現(xiàn)意味著,用戶完全可以在SN100之上使用標準驅動器代碼、而不再單純依賴于PCIe驅動器。
HGST公司的NVMePCIe卡產(chǎn)品(即SN150)目前已經(jīng)正式投放市場,而2.5英寸SSD(即SN100)將于今年五月與廣大用戶見面。