今天一個值得紀念的日子,北京申冬奧成功,創(chuàng)造了全球第一個同時舉辦夏季和冬季啊奧運會的歷史,一個字驕傲(對不起,是2個字,高興沖昏了頭腦)。申奧成功被各種刷屏,但在存儲朋友圈里,3D XPoint還在被津津樂道。有人說,新的3D XPoint是內存(RAM)的速度的1000倍。我記得是閃存(SSD、NAND)速度的1000倍,我以為自己記錯了,趕緊查了查新聞稿。沒錯,是閃存速度的1000倍,我是對的。何來內存(RAM)速度1000倍呢?其實也沒有什么,我說過:看不懂的英特爾3D Xpoint,有點錯誤正常。也有說,3D XPoint證明搞半導體,說穿了就是搞材料,因為3D XPoint不是PCM(Phase Change Memory,相變存儲裝置),不是NAND,那么應該就是新材料。如此一來,很擔心模仿者的速度。如果說是新材料,在“看不懂的英特爾3D Xpoint ”一文中,所說的猜測就不成立了。猜錯了嗎?為此,我又和Greenliant亞太營銷副總裁李炫輝先生進行了交流,人家才是專家嘛。
李炫輝表示,從這個來看,橫的應該是絕緣層??v向是Selector和Memory Cell,應該是存儲,一個是NAND,一個RAM,和上次猜測的一樣。
3D Xpoint和FlashTec NVRAM有近似之處。其中,NVRAM是將RAM和NAND結合在一起,設計上,通過增加一系列電容和控制連接的設計(請原諒,我非專業(yè)人士,描述未必準確)。作用是,當意外斷電的發(fā)生時,利用電容供電,將RAM中的數據,高速傳遞給NAND保存,數據不丟失。大概這就是NVRAM的做法。好處是,內存RAM的高速,NAND的非易失性兼顧。這個描述和3D Xpoint是不是很像。3D Xpoint差別之處在于,RAM和NAND之間不是靠電容和控制,猜測應該利用所說的3D Xpoint的新材料,通過電位差(我又不專業(yè)了,意會吧)實現數據從RAM到NAND的高速傳遞,RAM和NAND可以做到Cell一級傳遞??傊?,替代了NVRAM的高速互連方法。是不是如此,沒有更多披露。專業(yè)的解讀,不夠專業(yè)的轉述,供大家參考。如此一來,看來3D Xpoint首先針對內存(RAM),而不是NAND。所以,有脫離NAND,新一代存儲主戰(zhàn)場的嫌疑。但也不盡然,未來CPU的設計趨勢之一,是將緩存外移,增加計算處理能力,計算和內存借助高速互連(3D Xpoint)實現,兼顧高速互聯非易失存儲。所以,3D Xpoint未來的角色定位如何,還是有很大的想象空間!