今天一個值得紀念的日子，北京申冬奧成功，創(chuàng)造了全球第一個同時舉辦夏季和冬季啊奧運會的歷史，一個字驕傲（對不起，是2個字，高興沖昏了頭腦）。申奧成功被各種刷屏，但在存儲朋友圈里，3D XPoint還在被津津樂道。有人說，新的3D XPoint是內存（RAM）的速度的1000倍。我記得是閃存（SSD、NAND）速度的1000倍，我以為自己記錯了，趕緊查了查新聞稿。沒錯，是閃存速度的1000倍，我是對的。何來內存（RAM）速度1000倍呢？其實也沒有什么，我說過：看不懂的英特爾3D Xpoint，有點錯誤正常。也有說，3D XPoint證明搞半導體，說穿了就是搞材料，因為3D XPoint不是PCM（Phase Change Memory，相變存儲裝置），不是NAND，那么應該就是新材料。如此一來，很擔心模仿者的速度。如果說是新材料，在“看不懂的英特爾3D Xpoint ”一文中，所說的猜測就不成立了。猜錯了嗎？為此，我又和Greenliant亞太營銷副總裁李炫輝先生進行了交流，人家才是專家嘛。

李炫輝表示，從這個來看，橫的應該是絕緣層?？v向是Selector和Memory Cell，應該是存儲，一個是NAND，一個RAM，和上次猜測的一樣。

3D Xpoint和FlashTec NVRAM有近似之處。其中，NVRAM是將RAM和NAND結合在一起，設計上，通過增加一系列電容和控制連接的設計（請原諒，我非專業(yè)人士，描述未必準確）。作用是，當意外斷電的發(fā)生時，利用電容供電，將RAM中的數據，高速傳遞給NAND保存，數據不丟失。大概這就是NVRAM的做法。好處是，內存RAM的高速，NAND的非易失性兼顧。這個描述和3D Xpoint是不是很像。3D Xpoint差別之處在于，RAM和NAND之間不是靠電容和控制，猜測應該利用所說的3D Xpoint的新材料，通過電位差（我又不專業(yè)了，意會吧）實現數據從RAM到NAND的高速傳遞，RAM和NAND可以做到Cell一級傳遞?？傊?，替代了NVRAM的高速互連方法。是不是如此，沒有更多披露。專業(yè)的解讀，不夠專業(yè)的轉述，供大家參考。如此一來，看來3D Xpoint首先針對內存（RAM），而不是NAND。所以，有脫離NAND，新一代存儲主戰(zhàn)場的嫌疑。但也不盡然，未來CPU的設計趨勢之一，是將緩存外移，增加計算處理能力，計算和內存借助高速互連（3D Xpoint）實現，兼顧高速互聯非易失存儲。所以，3D Xpoint未來的角色定位如何，還是有很大的想象空間！