紫光走出去,Intel走進(jìn)來

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作者:宋家雨

2016-04-18 22:30:03

摘自:存儲在線

錢鐘書先生將婚姻比喻為圍城:城外的人想進(jìn)去,城里的人想出來。4月1日,英特爾E5 v4處理器發(fā)布的同時,英特爾同時發(fā)布了P3320 P3520,以及D3700 D3600兩款固態(tài)硬盤

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錢鐘書先生將婚姻比喻為圍城:城外的人想進(jìn)去,城里的人想出來。有趣的是,在半導(dǎo)體行業(yè),以紫光為代表中國力量在瘋狂收購國外企業(yè),但與此同時,英特爾卻在聯(lián)合清華大學(xué)、瀾起科技,研發(fā)融合可重構(gòu)計算的新一代通用處理器,正在上演一場另類圍城。

紫光入股Lattice

據(jù)《華爾街日報》報道,4月15日,清華紫光集團(tuán)在周三向美國當(dāng)局提交了一份監(jiān)管文件,已經(jīng)通過在公開市場上購買股票的方式積累了Lattice半導(dǎo)體公司 6%股份,而Lattice是一家總部設(shè)在俄勒岡州波特蘭的一家芯片生產(chǎn)商,其主要業(yè)務(wù)是生產(chǎn)低能耗可編程微處理器。

有趣的是1月21日,清華大學(xué)、英特爾公司和瀾起科技聯(lián)手研發(fā)融合可重構(gòu)計算和英特爾x86架構(gòu)技術(shù)的新型通用處理器,這里所說的可重構(gòu)計算實際上就是所謂低能耗可編程微處理器,也就是FPGA。4月12日,融合了瀾起科技混合安全雙列直插式內(nèi)存模組(HSDIMM)、清華大學(xué)的可重構(gòu)技術(shù)處理器(RCP)模塊,以及英特爾的高性能至強處理器的新一代數(shù)據(jù)中心處理器平臺正式對外發(fā)布,新的處理器平臺對外命名為“津逮”,首款產(chǎn)品有望于2017年底、2018年初就緒,為此推動“津逮”,三方還發(fā)起成立了“子晉聯(lián)盟”。

從入股Lattice,到發(fā)布“津逮”,紫光、英特爾的目的未必完全相同。盡管紫光對Lattice的投資僅為4160萬美元,但外電認(rèn)為顯示了中國對半導(dǎo)體制造技術(shù)的興趣。外電認(rèn)為中國正尋求建立起一個具有較高競爭力的芯片行業(yè),為此最多的資金多達(dá)1萬億元人民幣(約合1540億美元)。

發(fā)力大存儲制造

長久以來,中國半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)長期落后,與國外的差距至少一代半。半導(dǎo)體制造所面臨的差距,也制約了國產(chǎn)IT設(shè)備的自主可控的能力。隨著中國經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,實力的增強,實現(xiàn)半導(dǎo)體制造上的“彎道超車”,就成為一種主要的訴求。

3月28日,總投資達(dá)240億美元(約合1600億元人民幣)、占地約2500畝的武漢新芯存儲器基地開工建設(shè),該基地主要生產(chǎn)3D NAND Flash芯片和DRAM芯片;建成后產(chǎn)能預(yù)計將達(dá)到30萬片每月,希望可以填補我國在該制造領(lǐng)域的空白。“再也不能錯過3D NAND技術(shù)的發(fā)展機遇了。”武漢新芯執(zhí)行副總裁商務(wù)長陳少民說。

所謂過3D NAND技術(shù),也被國內(nèi)政府行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)稱為“大存儲產(chǎn)業(yè)”。從技術(shù)上來說,3D NAND屬于新興存儲介質(zhì),用于替代傳統(tǒng)的磁盤的磁介質(zhì),代表著存儲產(chǎn)業(yè)新一輪革命。就制造技術(shù)而言,工藝技術(shù)在某種程度上領(lǐng)先處理器。以最新發(fā)布英特爾E5 V4至強處理器為例,采用14nm工藝制造。而這樣的技術(shù),早已經(jīng)用于生產(chǎn)NAND閃存芯片了。

如今,CPU制造受到工藝技術(shù)“天花板”的制約,發(fā)展速度減緩,最近英特爾宣布延緩沿用多年的“Tick-Tock”鐘擺戰(zhàn)略,推出了新的“制程-架構(gòu)-優(yōu)化”(PAO)三步走戰(zhàn)略。同樣的,以2D MLC為核心的企業(yè)級NAND也面臨新的問題。

就像多核處理器一樣,NAND開始從2D向3D發(fā)展,從平面設(shè)計向立體空間發(fā)展。隨之而來的將是更大的容量,更低的成本。而成本正是制約閃存替代磁盤的關(guān)鍵。

與2D相比,3D制造不追求更高的制程技術(shù),傾向采用上一代制程技術(shù),對于國產(chǎn)半導(dǎo)體來說,似乎從中看到了希望的曙光,無論如何,客觀上提供了可能。但不要絲毫看低其中的難度,工藝技術(shù)有所降低,但設(shè)計的復(fù)雜度,同樣不能夠忽視。

4月1日,英特爾E5 v4處理器發(fā)布的同時,英特爾同時發(fā)布了P3320/P3520,以及D3700/D3600兩款固態(tài)硬盤,其中,P3320/P3520就是采用了3D TLC技術(shù)制造。沒錯,是3D TLC,至于為什么不是3D MLC,其中的緣由,我們也在分析和學(xué)習(xí)中??傊?,一句話,3D NAND時代,大存儲產(chǎn)業(yè)的時代到來了。

小結(jié)

不論是走出去,還是請進(jìn)來;加速趕超也好,彎道超車也罷。這個時代前所未有。路漫漫其修遠(yuǎn)兮,吾將上下而求索,期待以紫光、新芯為代表的中國力量有 更加精彩的表現(xiàn)。

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