IBM科學家實現(xiàn)存儲器重大突破

責任編輯:editor007

2016-05-31 17:26:45

摘自:ZD至頂網(wǎng)

IBM研究院(IBM Research)的科學家采用一種較新的存儲技術(shù),即被稱為相變存儲(PCM)技術(shù),首次展示了每個單元穩(wěn)定的存儲3比特數(shù)據(jù)的能力。

IBM研究院(IBM Research)的科學家采用一種較新的存儲技術(shù),即被稱為相變存儲(PCM)技術(shù),首次展示了每個單元穩(wěn)定的存儲3比特數(shù)據(jù)的能力。

目前常用的存儲器主要有DRAM、硬盤驅(qū)動器以及普遍使用的閃存盤(U盤)。但在過去的幾年,PCM因其綜合了高速讀/寫、耐用和非易失性及高存儲密度引起了業(yè)界的關(guān)注,有潛力成為一種通用存儲技術(shù)。例如,與DRAM不同,PCM在斷電時不會丟失數(shù)據(jù),并且這種技術(shù)可實現(xiàn)至少1000萬次重復擦寫次數(shù),而普通的USB閃存記憶棒(U盤)最多只能重復擦寫3000次。

這項研究突破可提供快速簡便的存儲,以滿足移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)成幾何級數(shù)劇增的海量數(shù)據(jù)。

應用

IBM科學家認為,PCM存儲器可以獨立使用,或者用作混合應用設(shè)備的一部分,此類混合應用設(shè)備整合了PCM和閃存,以PCM作為速度極快的高速緩沖存儲器(Cache)。例如,手機的操作系統(tǒng)可儲存在PCM中,使手機可在幾秒鐘內(nèi)開機。在企業(yè)領(lǐng)域,整個數(shù)據(jù)庫都可儲存在PCM中,可為時間要求苛刻的在線應用(例如金融交易)提供超快的查詢處理。

這項技術(shù)還可通過減少在迭代之間讀取數(shù)據(jù)時導致的延遲開銷,大大提高采用大型數(shù)據(jù)集的機器學習算法的速度。

PCM的工作原理

PCM材料具有兩種穩(wěn)定的狀態(tài),非晶相(沒有明確的結(jié)構(gòu))和晶相(具有明確的結(jié)構(gòu)),分別具有較低和較高的導電率。

如果想在PCM單元上儲存"0"或"1",即大家熟知的比特,我們可在這種材料上通上較高或者中等電流。"0"可編程設(shè)定為在非晶相下寫入,而"1"在晶相下寫入,或者相反。然后通上低電壓,將這個位讀取出來。這就是可重寫藍光光盤(Blue-ray Discs)*儲存視頻的原理。

先前,IBM以及其它研究機構(gòu)的科學家已成功展示了在PCM上每個單元存儲1個比特的能力,但今天在巴黎的 IEEE國際存儲器研討會上,IBM的科學家首次展示了在高溫下的64k單元陣列上實現(xiàn)每個單元成功儲存3比特的能力,并且其重復擦寫次數(shù)突破了100萬次。

"相變存儲器是首款既具有DRAM特性又具有閃存特性的通用存儲器裝置,因此可解決業(yè)界面臨的重大挑戰(zhàn)之一,"論文作者、IBM研究院非易失性存儲器研究部門經(jīng)理Haris Pozidis博士在蘇黎世對媒體說,"實現(xiàn)每單元3比特(3位)的存儲能力是一個重要的里程碑,因為在這種存儲密度下,PCM的成本將會大大低于DRAM的成本并且接近閃存的成本。"

為了實現(xiàn)多位存儲,IBM的科學家開發(fā)出了兩項創(chuàng)新性的使能技術(shù):一套不受偏移影響單元狀態(tài)測量方法以及偏移容錯編碼和檢測方案。

更具體地說,這種新的單元狀態(tài)測量方法可測量PCM單元的物理特性,檢測其在較長時間內(nèi)是否能保持穩(wěn)定狀態(tài),這樣的話其對偏移就會不敏感,而偏移可影響此單元的長期電導率穩(wěn)定性。為了實現(xiàn)一個單元上所儲存的數(shù)據(jù)在環(huán)境溫度波動的情況下仍能獲得額外的穩(wěn)健性(additional robustness),IBM的科學家采用了一種新的編碼和檢測方案。這個方案可以通過自適應方式修改用來檢測此單元所存儲數(shù)據(jù)的電平閾值,使其能隨著溫度變化引起的各種波動而變化。因此,這種存儲器寫入程序后,在相當長的時間內(nèi)都能可靠地讀取單元狀態(tài),從而可提供較高的非易失性。

"通過綜合這些進步,可解決多位PCM的關(guān)鍵挑戰(zhàn),包括偏移、可變性、溫度敏感性和重復擦寫次數(shù),"IBM院士(IBM Fellow)Evangelos Eleftheriou博士說道。

IBM的科學家所使用的實驗用多位PCM芯片連接在一塊標準的集成電路板上。該芯片由一個4-bank 內(nèi)存交錯結(jié)構(gòu)的2 × 2 Mcell 陣列組成。這款存儲器陣列大小為2 × 1000 微米 (μm)× 800 微米(μm)。PCM單元采用摻雜硫族化物合金制作而成,集成在標準原型芯片上,該芯片作為90nm CMOS基線技術(shù)中的特征化載具。

OpenPOWER

在3月份于美國加州圣何塞舉行的2016 OpenPOWER峰會(2016 OpenPOWER Summit)上,IBM的科學家通過CAPI(一致性加速處理器接口)協(xié)議,首次展示了安裝在基于POWER8的服務器(由IBM和泰安計算機公司制造)上的相變存儲器。這項技術(shù)利用了PCM的低延遲和小存取粒度、OpenPOWER結(jié)構(gòu)的效率和CAPI協(xié)議。在展示中,科學家在PCM芯片和POWER8處理器之間測得一致性很高的極低128字節(jié)讀/寫延遲。

鏈接已復制,快去分享吧

企業(yè)網(wǎng)版權(quán)所有?2010-2024 京ICP備09108050號-6京公網(wǎng)安備 11010502049343號