在10月14日的英特爾固態(tài)盤媒體溝通會上，英特爾公司非易失性存儲器（NVM）解決方案事業(yè)部客戶端固態(tài)盤戰(zhàn)略規(guī)劃及市場總監(jiān) David T Lundell出席介紹了英特爾固態(tài)盤的發(fā)展現狀并重點介紹了英特爾新發(fā)布的固態(tài)盤600p系列產品的技術和成本優(yōu)勢。

英特爾的固態(tài)盤的戰(zhàn)略是希望為用戶提供一個延遲和成本平衡的計算存儲單元。英特爾有兩個非常重要的技術，第一個技術是Optane技術，第二個是3D NAND技術，Optane技術可以非?？斓奶岣吖虘B(tài)盤性能，從而使性能達到內存運算的級別，它是更高效、更快速的存儲介質。3D NAND適用于另外一種場景，即是在很大數據量、很低的成本的情景下，需要用3D NAND的技術來實現。

隨著3D NAND技術的發(fā)展，可以像建樓層一樣的技術使得采用3D NAND技術的固態(tài)盤能夠擁有高密度、低成本的存儲容量。而實現更大的內存、更快的Intel全新的Optane SSD技術，采用了全新設計的3D XPoint非易失性存儲技術，實現容量更大，和速度也要比3D NAND閃存更快。

英特爾借助3D NAND、3D XPoint等基于存儲介質和技術的創(chuàng)新來幫助用戶在提高數據處理的速度，把數據能夠安全的存儲下來。

基于Intel 3D NAND技術的產品相對于其他的3D NAND產品有兩個優(yōu)勢，第一Intel采用的浮柵技術，而其他廠家采用的是電荷捕獲技術，David T Lundell認為相對于新的電荷捕獲技術，浮柵技術是經過十幾年驗證的成熟技術，因此英特爾閃存盤在數據存儲安全方面有著明顯的優(yōu)勢。

第二，擴展性更好，在整體架構上，英特爾把CMOS電路放在NAND下面的，“而友商是把CMOS電路放在存儲單元的周圍，他們需要打一根釘子，隨著層數增高，打孔的技術困難性會不斷增加，而英特爾因為把這個CMOS電路放在NAND之下，未來我們做擴容的時候。”David T Lundell談到。因此相對于其他廠家的層數需要像釘子一樣固定一樣，英特爾3D NAND技術用戶在CMOS陣列上實現更好的陣列效率，其擴展性更好。

而英特爾能夠實現每個晶片上更多的容量，Intel 32層 /TLC能夠實現2.86Gb/平方毫米的容量大小。在相同大小的面積上，實現的容量大小比其他品牌高11%。

為此，針對消費級客戶端市場，英特爾最新發(fā)布的600p系列固態(tài)盤采用20納米工藝的32層3D NAND技術的閃存顆粒。單面 M.2接口，可以實現更小體積更好的性能。32層3D NAND可以實現1TB容量大小的硬盤?？梢蕴峁┫喈斢趥鹘y(tǒng)硬盤17倍或SATA固態(tài)盤最高達3倍的性能。成本與SATA SSD，但是提供3倍的性能。同時擁有英特爾固態(tài)盤一直具備的超強的可靠性及耐用性，五年質保讓用戶在其完整生命周期中都能獲得穩(wěn)定的性能。

現場攀升科技產品研究院副院長王若?；谟⑻貭栕钚峦瞥?00p系列固態(tài)盤的體驗，認為目前基于3D NAND的閃存是溫數據的最佳載體，而且從數據處理看其也是DRAM與NAND之間的一個連接器。并坦言全新英特爾固態(tài)盤將有效填補固有存儲性能缺口，對于消費者來說是一個不錯的選擇。

英特爾公司非易失性存儲器（NVM）解決方案事業(yè)部客戶端固態(tài)盤戰(zhàn)略規(guī)劃及市場總監(jiān)David T Lundell

目前，采用英特爾固態(tài)盤600p系列的機型搭建的平臺已經在寧美國度、攀升兄弟等DIY行業(yè)用戶中獲得成功應用，并為消費者提供卓越的應用性和穩(wěn)定性。“這幾款全新推出的固態(tài)盤是英特爾三十余年在存儲器技術創(chuàng)新方面承諾的體現。我們也希望能夠借助3D NAND、3D XPoint這樣可信的、突破性的技術并聯(lián)合生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴改變存儲經濟性的問題，”英特爾公司非易失性存儲器（NVM）解決方案事業(yè)部客戶端固態(tài)盤戰(zhàn)略規(guī)劃及市場總監(jiān)David T Lundell表示：“為了實現這一目標，英特爾將繼續(xù)聚焦存儲技術創(chuàng)新，針對不同應用場景提供不同的產品，并立足于市場、服務于用戶需求，會為各級市場用戶提供持續(xù)的產品供應與技術支持，以及超乎想象的應用體驗！”