Intel推出DC P3100固態(tài)硬盤:3D TLC閃存 寫入低至55MB/s

責(zé)任編輯:editor005

2016-10-29 19:42:17

摘自:Expreview超能網(wǎng)

8月份的時候Intel一股腦推出了6款SSD新品,分別相面消費(fèi)級、嵌入式、商用等不同市場,開始全線升級3D NAND閃存。至于性能為啥這么低

8月份的時候Intel一股腦推出了6款SSD新品,分別相面消費(fèi)級、嵌入式、商用等不同市場,開始全線升級3D NAND閃存。日前Intel又推出了面向數(shù)據(jù)中心市場的入門級固態(tài)硬盤DC P3100系列,官方表示這是首款M.2規(guī)格、基于PCI-E的數(shù)據(jù)中心硬盤,使用的是3D NAND TLC閃存,讀取速度1800MB/s,寫入速度是55-175MB/s——你沒看錯,就是最高175MB/s,最低55MB/s。

DC P系列是Intel針對數(shù)據(jù)中心市場推出的SSD硬盤,目前的主力是DC P3000系列,之前多是PCI-E或者U.2規(guī)格的,DC P3100是首個M.2規(guī)格的,而閃存也開始使用3D NAND,既然是入門級產(chǎn)品,使用TLC閃存也沒啥意外的。

問題是這貨的性能有點....該系列容量有128GB、256GB、512GB及1TB四種,性能最強(qiáng)的1TB版,讀取速度1800MB/s,寫入速度175MB/s——讀取性能還可以,但寫入速度有點太低了,但這還不是最差的,128GB版讀取速度720MB/s,寫入速度只有55MB/s,隨機(jī)4K讀取27萬IOPS,隨機(jī)寫入只有2200 IOPS。

至于性能為啥這么低,Intel并沒有公布DC P3100系列的主控和詳細(xì)規(guī)格,估計Intel并沒有使用SLC緩存之類的技術(shù),55-175MB/s的寫入速度是TLC閃存的原始速度而已。

如果說入門級產(chǎn)品不太看重性能,這么解釋也就忍了,Intel強(qiáng)調(diào)的是性能與耐用性均衡,不過1TB版數(shù)據(jù)壽命才580TB,三星消費(fèi)級的960 Pro硬盤1TB數(shù)據(jù)壽命都有800TB了,960 Evo也有400TB了,企業(yè)級的都干不過消費(fèi)級的,這可咋整,客戶唯一還有希望的就是Intel比三星便宜點了,還有五年的質(zhì)保。

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