西部數(shù)據(jù)集團(tuán)向分析師們公布五（或者說六）款產(chǎn)品。其中包括氦氣填充式驅(qū)動器、3D TLC NAND迷你SD卡以及一套承諾可提供高水平IOPS表現(xiàn)的高速閃存平臺。

我們首先來看Ultrastar He12，這款容量為12 TB的氦氣填充式驅(qū)動器在存儲空間方面較上代Gen 3七碟片He10氦氣填充式磁盤型號增加2 TB。

He12為HGST的第四代氦氣填充式驅(qū)動器，其中包含八塊存儲碟片，尺寸為3.5英寸，存儲碟片數(shù)量較六碟片8 TB高容量空氣填充式驅(qū)動器增加兩片。

其采用標(biāo)準(zhǔn)垂直磁記錄技術(shù)——并未采用疊瓦式設(shè)計——即實現(xiàn)了12 TB存儲容量水平，單一存儲碟片容量為1.5 TB。

此驅(qū)動器為7200轉(zhuǎn)，且配備有單一12 Gbit每秒SAS接口或6 Gbit每秒SATA接口。其中包含自加密功能以及Instant Secure Erase，即即時安全擦除機(jī)制。其MTBF（即平均故障前時間）為250萬小時，且提供五年質(zhì)保服務(wù)。上述特性與He10產(chǎn)品完全一致。

通過將疊瓦設(shè)計方案引入此驅(qū)動器，HGST方面目前正在開發(fā)一款14 TB磁盤驅(qū)動器。該公司表示，這款產(chǎn)品將主要面向那些軟件架構(gòu)內(nèi)可實現(xiàn)SMR支持的云服務(wù)供應(yīng)商。HGST公司的疊瓦設(shè)計為主機(jī)管理型，而非驅(qū)動器管理型。

希捷公司的氦氣填充式驅(qū)動器目前的容量在10 TB水平，其正嘗試?yán)肏AMR技術(shù)將其提升至16 TB，據(jù)我們了解具體時間點(diǎn)應(yīng)在2018年到2019年。東芝公司容量最高的驅(qū)動器為8 TB X300 Premium，但其目前尚未推出任何氦氣填充式解決方案。

西部數(shù)據(jù)方面指出，該公司截至目前已經(jīng)發(fā)貨超過1200萬塊氦氣填充式驅(qū)動器，且毫無疑問其將很快把這一銷售數(shù)字翻倍。

西部數(shù)據(jù)Ultrastar SSD與磁盤驅(qū)動器產(chǎn)品

我們目前已經(jīng)看到Ultrastar品牌下的SS200與SN200兩款產(chǎn)品。二者分別為容量優(yōu)化型與使用壽命優(yōu)化型產(chǎn)品，且在其五年質(zhì)保期內(nèi)分別可提供每天一次全盤寫入（簡稱DWPD）與每天三次全盤寫入壽命。

SN200為一款2.5英寸NVMe驅(qū)動器，且采取半高、半長（簡稱HH-HL）接入卡格式。其能夠有效取代現(xiàn)有SN100產(chǎn)品，并提供更高容量與速度水平。

此2.5英寸版本的使用壽命優(yōu)化版本分別為800 GB、1.6 TB、3.2 TB以及6.4 TB，而容量優(yōu)化型版本則提供960 GB、1.92 TB、3.84 TB以及7.68 TB。HGST方面并未告知其使用的具體閃存類型。不過根據(jù)我們的猜測，其中應(yīng)該為MLC 15納米SanDisk NAND。

容量優(yōu)化型與使用壽命優(yōu)化型版本、2.5英寸與半高半長版本間的性能參數(shù)略有不同?；c(diǎn)2.5英寸版本的容量與使用壽命優(yōu)化型產(chǎn)品最高隨機(jī)讀取IOPS皆為8萬3千，但在隨機(jī)寫入IOPS方面，容量優(yōu)化型為7萬5千，使用壽命優(yōu)化型則為20萬。這兩類型號在連續(xù)讀取與寫入速度方面則同樣分別為每秒3.3 GB與每秒2.1 GB。

在半高半長版本方面，容量優(yōu)化型隨機(jī)讀取IOPS為120萬，隨機(jī)寫入IOPS則為7萬5千; 使用壽命優(yōu)化型隨機(jī)讀取IOPS同樣為120萬，隨機(jī)寫入IOPS則為20萬。二者的連續(xù)讀取帶寬非?？捎^，達(dá)到每秒6.1 GB，但連續(xù)寫入僅為每秒2.2 GB。

的寫入延遲為20微秒，且在2.5英寸版本中提供雙端口NVMe 1.2（第三代PCIe），但半長半高版本只提供單端口。二者的平均故障前時間均為200萬小時，且皆具備閃存識別RAID與端到端路徑保護(hù)機(jī)制。

這是一款非常出色的驅(qū)動器產(chǎn)品，西部數(shù)據(jù)方面表示其是目前市面上同等格式下容量最高的NVMe PCIe SSD。另外，其相較于西部數(shù)據(jù)的上一代NVMe兼容型Ultrastar SN150 SSD（僅提供半高半長版本）實現(xiàn)100%連續(xù)讀取速度提升與61%隨機(jī)讀取性能提升。

西部數(shù)據(jù)方面還表示，其在隨機(jī)讀取/寫入比例為七比三的情況下，可提供業(yè)界最佳的56萬4 KiB IOPS，但這一成績僅適用于其中的6.4 TB半高半長版本。

西部數(shù)據(jù)將這款驅(qū)動器視為工作負(fù)載密集型云與超大規(guī)模環(huán)境下的理想解決方案，其中包括電子商務(wù)、搜索、社交網(wǎng)絡(luò)以及包括密集型分析在內(nèi)的實時大規(guī)模數(shù)據(jù)處理等環(huán)境。

根據(jù)西部數(shù)據(jù)方面的說法，SS200是目前速度最快且容量最高的SAS SSD產(chǎn)品，這是一款雙端口12 Gbit每秒驅(qū)動器，同時提供容量優(yōu)化與使用壽命優(yōu)化型版本。西部數(shù)據(jù)方面指出，其采用SanDisk 15納米NAND，據(jù)我們猜測其應(yīng)該為MLC（即二層單元）。

其中使用壽命優(yōu)化版本的存儲容量分別為400 GB、800 GB、1.6 TB、3.2 TB以及6.4 TB，而容量優(yōu)化版本則分別為480 GB、960 GB、1.92 TB、3.84 TB以及7.68 TB。二者皆提供25萬隨機(jī)讀取IOPS，其中容量優(yōu)化型驅(qū)動器的隨機(jī)寫入IOPS為3萬7千，使用壽命優(yōu)化型則為8萬6千。

容量與使用壽命型驅(qū)動器的連續(xù)讀取/寫入數(shù)字皆為每秒1.8 GB與每秒1 GB，且二者的平均讀取/寫入延遲皆為100微秒。

與SN200一樣，這兩種版本皆提供自我加密選項、即時安全擦除以及250萬小時平均故障前時間。西部數(shù)據(jù)方面指出，此驅(qū)動器主要面向存儲陣列、超融合型與軟件定義型架構(gòu)，適合要求使用雙端口設(shè)計的SAS接口以及數(shù)據(jù)密集型關(guān)鍵性企業(yè)與云應(yīng)用。

西部數(shù)據(jù)將公布了一套即將推出的高速閃存平臺。其將是一套采用NVMe驅(qū)動器的2U托架，通過PCIe接入服務(wù)器。該公司指出，目前該平臺的測試性能為1800萬IOPS，已經(jīng)成為業(yè)界單機(jī)架單元中性能最高的解決方案。

該平臺的目標(biāo)市場為各類分散型云規(guī)模數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施，西部數(shù)據(jù)方面同時指出，其還將把容量與性能進(jìn)行分別配置; 這是為了向超整合型基礎(chǔ)設(shè)施方案予以反擊。不出所料，西部數(shù)據(jù)表示其將具備高可用性與可維護(hù)性。

該平臺的潛在適用領(lǐng)域包括實時與數(shù)據(jù)流分析應(yīng)用，例如信用卡欺詐檢測、視頻流分析、基于位置型服務(wù)、廣告服務(wù)器、自動化系統(tǒng)以及立足于人工智能（簡稱AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（簡稱ML）或者深層學(xué)習(xí)（簡稱DL）的各類解決方案。

西部數(shù)據(jù)公司指出，其計劃將軟件交付至開源社區(qū)，用以更好地貢獻(xiàn)并支持此項技術(shù)。

SanDisk公司目前的Edge 356 GB迷你SD卡采用64層3D TLC9三層單元）閃存。此類閃存亦被稱為BiCS3，且明顯優(yōu)于上一代48層BiCS2方案。我們期待著BiCS3 SSD能夠如其承諾那樣提供等同于甚至高于最新SS200與SN200 SSD的存儲容量水平。

這款Edge卡以O(shè)EM形式供監(jiān)控、攝像頭以及無人機(jī)等使用。

在本次分析師日活動中，尼古拉斯公司總經(jīng)理Aaron Rakers向Memory Technology公司執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士發(fā)函稱，BiCS3 64層技術(shù)路線圖將貫穿整個2017年，其中包括二層單元（MLC）、三層單元（TLC）以及四層單元（QLC）。他預(yù)計BiCS3 64層3D NAND將進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)，而設(shè)備容量將在16 GB到32 TB區(qū)間。

根據(jù)Rakers的說法，Sivaram博士亦預(yù)計初代ReRAM（即電阻式RAM）存儲級內(nèi)存產(chǎn)品將在2018年下半年出現(xiàn)，而第二代方案則將出現(xiàn)于2019年。西部數(shù)據(jù)方面認(rèn)為，DRAM在擴(kuò)展能力方面局限嚴(yán)重，因此需要出現(xiàn)Sivaram提到的所謂SDM-ReRAM作為擴(kuò)展性解決方案。

這不禁讓我們想到了HPE公司將要使用的ReRAM存儲級內(nèi)存。

Edge卡目前已經(jīng)開始全面發(fā)售。高速閃存平臺將于2017年上半年正式投放市場。

為了取悅金融分析師，西部數(shù)據(jù)方面還宣布其已經(jīng)與三星公司簽訂了一份為期八年的交叉授權(quán)協(xié)議。Rakers估計，這一協(xié)議將在2017財年第二季度帶來約3000萬美元營收。

新的Ultrastar SSD與Edge卡一樣目前已經(jīng)開始銷售。He12與He14磁盤驅(qū)動器則正在向特定客戶提供測試樣品。