紫光蓋全球最大3DNAND廠 暫時不涉足DRAM

責任編輯:editor005

2017-01-03 14:51:54

摘自:PCBTech.Net

大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元,在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠,為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。

大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元,在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠,為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。

紫光蓋全球最大3DNAND廠 暫時不涉足DRAM

半導體設(shè)備業(yè)透露,紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案,等同遼寧號航空母艦出海試航,是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)從零突破的開端,也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作的新合作模式。

  由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資,并結(jié)合武漢、上海、矽谷及臺灣等研發(fā)人員,決定以自主研發(fā)投入生產(chǎn)3D NAND Flash設(shè)計、制造。

  由長江存儲主導投資的3D NAND Flash廠,位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城,占地高達1,968畝,將建立三座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash廠房,一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,第一期計畫預定2018年建成啟用投產(chǎn),2020年全部完工,月產(chǎn)能將達到30萬片,年產(chǎn)值將超過100億美元。將成為全球最大單一NAND晶片制造廠。

  至于后續(xù)的封測,以南茂為主要封測平臺,但力成也積極接洽爭取。

  紫光高層并透露,長江存儲將會等到取得國際大廠授權(quán),或自主研發(fā)技術(shù)達到成熟階段,才會跨足DRAM制造,絕不會竊取他廠的技術(shù)或?qū)@度肷a(chǎn)。

  紫光集團董事長趙偉國上月30日宣布這項投資案,當天包括:中共工信部副部長劉利華、工信部電子信息司司長刁石京、國家發(fā)改委高技術(shù)產(chǎn)業(yè)司副司長孫偉、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金公司董事長王占甫等人,與湖北省副省長許克振,武漢市委、常務副市長龍正才、東湖高新區(qū)黨工委書記胡立山等重要官員都親自出席,為中國大陸跨足建立自主存儲器技術(shù)且是歷年來單筆最大投資案做見證。

  業(yè)界人士指出,雖然紫光集團強調(diào)技術(shù)自主研發(fā),但近期已積極對臺展開大規(guī)模挖角行動,值得有關(guān)單位和企業(yè)密切注意。

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