閃存、內(nèi)存的瘋狂漲價(jià)，讓三星今年大賺特賺，當(dāng)然他們?cè)谛录夹g(shù)上的投入也沒有手軟，今天官方公布的消息顯示，三星將在韓國投資186.3億美元，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
之前我們?cè)鴪?bào)道了三星全球最大芯片工廠將開工的消息，而現(xiàn)在三星位于京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠已經(jīng)正式投入生產(chǎn)，其主要量產(chǎn)的是第四代3D NAND閃存芯片，其垂直堆疊達(dá)到64層。
三星新一代64層V-NAND數(shù)據(jù)傳輸速度為1Gbps，提供業(yè)界最短的500微秒（?）的燒錄器，燒錄單個(gè)芯片的時(shí)間，比典型的10nm級(jí)的平面NAND閃存快約四倍，而比三星最快的48層3位256Gb V-NAND閃存的速度快了1.5倍。
三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價(jià)。
接下來，三星還將通過堆疊超過90層的單元陣列，來生產(chǎn)具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
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