存儲器大廠美光科技（Micron）昨（27）日召開2017年會計年度第4季（2017年6月至8月）法說會，非一般公認會計準財（Non-GAAP）每股稀釋盈余2.02美元，優(yōu)于市場預(yù)期，美光在北京時間27日晚上開盤后，截至11點為止大漲了7.9%。

美光執(zhí)行長SanjayMehrotra在法說會中亦明白表示，今年底前DRAM及NANDFlash都將呈現(xiàn)供不應(yīng)求的缺貨狀態(tài)。

受惠于DRAM及NANDFlash價量齊揚，美光2017年會計年度第4季的Non-GAAP財報大幅超標，營收季增10%達61.38億美元，較去年同期大增約91%，平均毛利率沖上51%，稅后凈利季增26%達23.86億美元，與去年同期虧損情況相較不僅由虧轉(zhuǎn)盈，獲利還大幅超越市場預(yù)期，單季每股稀釋盈余2.02美元。

美光對于2018年會計年度第1季（2017年9月至11月）的展望同樣明顯優(yōu)于市場預(yù)期。營收預(yù)估介于61～65億美元之間，優(yōu)于市場普遍預(yù)估的60.6億美元，平均毛利率介于50～54%，營業(yè)利益預(yù)估介于26.5～28.5億美元之間，每股稀釋盈余預(yù)估介于2.09～2.23美元之間，優(yōu)于市場普遍預(yù)估的1.85美元。

美光執(zhí)行長SanjayMehrotra在法說會中表示，美光1x納米DRAM、64層3DNAND的生產(chǎn)計劃順利進行，預(yù)估今年底前良率可達成熟穩(wěn)定階段。由產(chǎn)業(yè)來看，今年DRAM市場位元成長率僅20%，NANDFlash位元成長率僅30～40%之間，均低于市場需求成長幅度，所以預(yù)期至今年底前，DRAM及NANDFlash都將供不應(yīng)求，而且良性的產(chǎn)業(yè)基本面會延續(xù)到明年。

SanjayMehrotra也對2018年存儲器市場提出看法，其中DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率仍然只在20%左右，在云端運算等需求維持強勁情況下，將維持健康的供需平衡狀態(tài)。至于NANDFlash在各家業(yè)者的3DNAND產(chǎn)能陸續(xù)開出下，位元成長率將提升到50%左右，可望滿足目前的市場供給缺口。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）昨日表示，2017年NANDFlash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務(wù)器需求的帶動，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進進度不如預(yù)期的影響下，供不應(yīng)求的狀況自2016年第3季起已持續(xù)6個季度。2018年NANDFlash位元供給端將增加42.9%，需求端將成長37.7%，整體供需狀況將由2017年的供不應(yīng)求轉(zhuǎn)為供需平衡。