東芝加碼上千億投資3D NAND WD是否參與仍在協(xié)議

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2017-10-12 14:40:38

摘自:MoneyDJ新聞

東芝6月28日宣布,已攜手SanDisk研發(fā)出全球首款采用堆棧96層制程技術(shù)的3DNANDFlash產(chǎn)品,且已完成試作、確認基本動作。

東芝(Toshiba)11日發(fā)布新聞稿宣布,關(guān)于目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建的3D架構(gòu)NAND型快閃存儲器(FlashMemory)專用廠房「第6廠房」投資案,旗下子公司「東芝存儲器(TMC;ToshibaMemoryCorporation)」原先是計劃在2017年度內(nèi)(截至2018年3月底為止的會計年度)砸下1950億日元資金,用于導(dǎo)入「第6廠房」第1期工程所需的生產(chǎn)設(shè)備以及用于第2期工程的廠房興建,不過因來自服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的3DNAND需求擴大,故TMC將在2017年度內(nèi)加碼投資1100億日元用于第1期工程的設(shè)備導(dǎo)入,也就是說2017年度內(nèi)對「第6廠房」的投資金額將擴大至3050億日元。

東芝加碼上千億投資3D NAND WD是否參與仍在協(xié)議

東芝表示,關(guān)于WesternDigital(WD)子公司SanDisk是否會參與上述追加的1100億日元投資計劃,目前正向SanDisk提案、協(xié)議中。

「第6廠房」第1期工程預(yù)計于2018年夏天完工,第2期工程廠房預(yù)計于2017年9月動工、2018年年末完工。關(guān)于具體的產(chǎn)能、生產(chǎn)計劃,將于今后視市場動向決定。

東芝6月28日宣布,已攜手SanDisk研發(fā)出全球首款采用堆棧96層制程技術(shù)的3DNANDFlash產(chǎn)品,且已完成試作、確認基本動作。

該款堆棧96層的3DNAND試作品為256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC:TripleLevelCel)技術(shù)的產(chǎn)品,預(yù)計于2017年下半送樣、2018年開始進行量產(chǎn),主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用SSD、PC用SSD以及智能型手機、平板計算機和記憶卡等市場。

上述堆棧96層的3DNAND將利用東芝四日市工廠「第5廠房」、「新第2廠房」以及預(yù)計2018年夏天完成第1期工程的「第6廠房」進行生產(chǎn)。

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