NetApp的E570陣列支持基于光纖的NVMe，但由于E570并未采用NVMe驅(qū)動器，所以其數(shù)據(jù)訪問速度可能相對較差。

E系列的全閃存E570于今年9月發(fā)布，發(fā)布會上表示，由于E570支持基于光纖的NVMe，從而將其延遲時間控制在了100 μs以內(nèi)。

E570通過InfiniBand將RDMA應(yīng)用于其24個閃存驅(qū)動器，進(jìn)而使之能夠在訪問主機(jī)服務(wù)器時避免由于延遲而消耗的存儲軟件堆棧代碼，并實現(xiàn)了在內(nèi)存中的直接寫入或讀取數(shù)據(jù)。

以這種方式使用NVMe的部分原因在于使用SAS協(xié)議——主要指磁盤驅(qū)動器訪問協(xié)議——訪問閃存驅(qū)動器（SSD）不僅速度較慢而且會延長SSD的數(shù)據(jù)訪問時間，故而其已不再是最優(yōu)選項。

然而，在陣列中使用NVMe訪問的磁盤驅(qū)動器在訪問SAN時（諸如iSCSI或光纖通道），會因為網(wǎng)絡(luò)協(xié)議而導(dǎo)致延遲。因此，基于光纖的NVMe產(chǎn)品組合應(yīng)運而生——每個陣列由65000的隊列長度與64000條命令組成。該產(chǎn)品組合可提供遠(yuǎn)程直接內(nèi)存訪問（RDMA），并且還可以繞過通路兩端的協(xié)議堆棧。而E570即選擇使用了Mellanox ConnectX InfiniBand適配器。

現(xiàn)有基于光纖的NVMe在存儲寫入訪問方面的延遲控制在30 μs至（以Mangstor NX陣列寫入）50 μs（E8寫入），而讀取延遲則為100或110 μs（E8或Mangstor陣列讀?。?。由于E570采用了配有SCSI訪問堆棧的SAS固態(tài)硬盤，故而其能將延遲時間控制為100 μs已是相當(dāng)不錯。另外，E570還配備了一款NVMe至SAS的橋接器。

試想一下， E570如果選用了NVMe閃存驅(qū)動器，那么其延遲還將下降一個等級。而我們認(rèn)為未來的E系列陣列能夠?qū)崿F(xiàn)這一點。

在柏林舉行的NetApp Insight大會中，博科公司展臺展示了NVMe-over-Fibre Channel訪問一套NetApp陣列的具體情況。且其中仍沒有包括端到端的NVMe訪問計劃。相反，陣列控制器通過光纖連接終止了NVMe，然后再將新傳入的請求分派至指定的一個或多個驅(qū)動器。

另外，我們認(rèn)為這代表NetApp期望貫徹實施端對端的NVMe以實現(xiàn)直接訪問閃存驅(qū)動器，從而進(jìn)一步降低訪問延遲。

然而，就算這種端對端的NVMe訪問形式得以實現(xiàn)，陣列控制器軟件也無法明確陣列中驅(qū)動器的數(shù)據(jù)內(nèi)容發(fā)生了何種變化。由此看來，端對端的NVMe訪問形式將產(chǎn)生極為深遠(yuǎn)的影響。