Western Digital（西部數(shù)據(jù)）今天推出了新一代iNAND嵌入式閃存芯片產(chǎn)品，分別支持UFS和eMMC兩種標準類型，但均基于SanDisk的64層3D堆疊技術(shù)。其中，iNAND 8521支持UFS2.1，第五代智能SLC技術(shù)（小容量SLC做緩存），號稱連續(xù)寫入速度比當下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍（600MB/s），隨機讀取更是快了10倍，號稱專為5G網(wǎng)絡(luò)時代而生。
而iNAND 7550支持eMMC5.1標準，性價比更高，連續(xù)寫入速度260MB/s，隨機讀取20K、寫入15K。
西數(shù)表示，iNAND 8521和iNAND 7550已經(jīng)開始交付OEM廠商試樣，容量是256GB。
SanDiks加入UFS2.1陣營，三星、東芝、SK海力士的有了新的對手，當然對于手機廠商和消費者來說，供貨更穩(wěn)定也會加速普及。
按照Counterpoint Research研究員Neil Shah的說法，到明年底，全球所有手機的ROM平均容量將超越60GB。
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