集邦咨詢(xún):中國(guó)布局存儲(chǔ)器，福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫與紫光集團(tuán)三大陣營(yíng)成形

中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)起云涌，在市場(chǎng)、國(guó)安等考慮下，存儲(chǔ)器成為中國(guó)重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目。根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)最新「中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析」報(bào)告指出，隨著中國(guó)龐大的資金與地方政府的資源進(jìn)軍半導(dǎo)體中的存儲(chǔ)器領(lǐng)域，中國(guó)包含福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫與紫光集團(tuán)在內(nèi)的三大陣營(yíng)已成形。

集邦咨詢(xún)指出，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，盡管早期如紫光集團(tuán)與美光洽談技術(shù)合作無(wú)疾而終，或是并購(gòu)相關(guān)技術(shù)母廠(chǎng)多失敗收?qǐng)?，但中?guó)積極吸收專(zhuān)業(yè)人才，無(wú)論是臺(tái)灣地區(qū)的建廠(chǎng)人才，或是日韓的技術(shù)人才皆為中國(guó)半導(dǎo)體廠(chǎng)目標(biāo)，并且從技術(shù)授權(quán)轉(zhuǎn)為自主研發(fā)，處處可見(jiàn)中國(guó)進(jìn)軍存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)烈決心。

兩大陣營(yíng)搶布局DRAM，分別從利基型內(nèi)存與行動(dòng)式內(nèi)存切入

從存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的DRAM產(chǎn)業(yè)來(lái)看，中國(guó)在發(fā)展策略上已有逐步收斂之勢(shì)，并非雜亂無(wú)章。以技術(shù)布局的角度觀察，中國(guó)DRAM領(lǐng)域中除了繪圖用內(nèi)存未有廠(chǎng)商布局，其他都有廠(chǎng)商按照計(jì)劃發(fā)展中。

中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)目前已有福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)。福建晉華專(zhuān)注利基型內(nèi)存的開(kāi)發(fā)，主攻消費(fèi)型電子市場(chǎng)，有望憑借著中國(guó)本有的龐大內(nèi)需市場(chǎng)壯大自身產(chǎn)能，甚至在補(bǔ)貼政策下，預(yù)估最快2018年底可能將影響國(guó)際大廠(chǎng)在中國(guó)市場(chǎng)的銷(xiāo)售策略，并且有機(jī)會(huì)取得技術(shù)IP走向國(guó)際市場(chǎng)。

相較于福建晉華避開(kāi)國(guó)際大廠(chǎng)的主力產(chǎn)品，合肥長(zhǎng)鑫直搗國(guó)際大廠(chǎng)最核心的行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)品。行動(dòng)式內(nèi)存已是內(nèi)存類(lèi)別中占比最高的產(chǎn)品，其省電技術(shù)要求極高，開(kāi)發(fā)難度相當(dāng)高。然而，中國(guó)品牌手機(jī)出貨已占全球逾四成，倘若LPDDR4能順利量產(chǎn)并配合補(bǔ)貼政策，中國(guó)政府進(jìn)口取代的策略即可完成部分階段性任務(wù)。

NAND Flash以長(zhǎng)江存儲(chǔ)布局最速，初期產(chǎn)品仍鎖定低端產(chǎn)品

觀察中國(guó)在NAND Flash領(lǐng)域的發(fā)展，以紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)為中國(guó)最快成軍的開(kāi)發(fā)廠(chǎng)商，初期也將以中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)的布局為主。由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)發(fā)早期技術(shù)力不足，難以與一線(xiàn)大廠(chǎng)相抗衡，預(yù)估其初期產(chǎn)品會(huì)以卡碟類(lèi)為大宗。隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展來(lái)到64/96層才有機(jī)會(huì)進(jìn)軍SSD市場(chǎng)，但此市場(chǎng)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)相當(dāng)激烈，沒(méi)有中國(guó)政府的支持，短期會(huì)難以在成本上取得優(yōu)勢(shì)，利用中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)壯大自己將是紫光集團(tuán)未來(lái)可行的策略。

而武漢新芯隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立后，將專(zhuān)注于NOR Flash的開(kāi)發(fā)，雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND Flash試產(chǎn)線(xiàn)暫放在武漢新芯，但隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)于武漢未來(lái)城基地建構(gòu)完成后，未來(lái)也將各自獨(dú)立。

集邦咨詢(xún)指出，以目前現(xiàn)況來(lái)看，中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器的策略能否成功，未來(lái)的3~5年將是極其重要的關(guān)鍵期，特別是強(qiáng)化IP的布局，中國(guó)政府以及廠(chǎng)商未來(lái)必須憑借內(nèi)需市場(chǎng)、優(yōu)秀的開(kāi)發(fā)能力，以及具國(guó)際水平的產(chǎn)能，取得與國(guó)際廠(chǎng)商最有利的談判籌碼，才有機(jī)會(huì)立足全球并占有一席之地。