蘋果在目前的64GB/128GB iPhone 6/6 Plus機型中使用了SK Hynix，Toshiba和SanDisk的TLC閃存芯片，而這被認定為iPhone 6頻繁閃退，重啟死機的主因（官方未承認）。

那么什么是TLC呢？

TLC是一種閃存顆粒的存儲單元，它的英文是TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell。在TLC發(fā)明之前，固態(tài)硬盤大部分采用SLC和MLC，即Single-Level Cell單層單元和Multi-Level Cell多層單元。早在去年三星840evo固態(tài)硬盤就采用了TLC芯片，后來被發(fā)現(xiàn)存在老數(shù)據(jù)讀取速度下降的問題，三星堅稱，問題源于閃存管理算法失誤，并不是TLC閃存顆粒的毛病。

目前來說，大部分的固態(tài)硬盤采用MLC顆粒，極少高端的產(chǎn)品采用SLC顆粒，因為價格的問題部分入門級固態(tài)硬盤采用了TLC顆粒。從成本采購上來看，TLC的價格相對于MLC來說要便宜不少，更別提是SLC。

為什么TLC不好呢？

在小編之前的測試中，尤其是固態(tài)硬盤的讀寫速度上，采用TLC芯片的三星840evo和采用MLC的金士頓在讀取速度方面幾乎都超過了180MB/s，從簡單的速度測試上兩者的性能并沒有差。但其實工作原理決定著TLC有致命的硬傷。

壽命

存取原理上SLC架構(gòu)是0和1兩個充電值，即每Cell只能存取1bit數(shù)據(jù)，有點兒類似于開關電路，雖然簡單卻非常穩(wěn)定。MLC架構(gòu)可以一次儲存4個充電值(00, 01, 10, 11)，因此擁有比較好的存儲密度，TLC能一次性存儲8個充點值(000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, and 111)，因此密度更高，當然成本更低。

壽命問題就是因為它的工作原理上：

當你要寫入數(shù)據(jù)，需要在控制柵極施加電壓，而源極和漏極的電壓都為0V。電壓形成一個電場，這樣電子就可以通過二氧化硅這層絕緣體從N通道進入到浮點柵極。這個過程通常也被成為“隧穿”。想要刪除存儲單元，需要在P型半導體施加電壓并且保持控制柵極的電壓為0。電場形成后電子就可以通過二氧化硅層。這就是NAND閃存在重新寫入新數(shù)據(jù)之前必須要刪除原來數(shù)據(jù)的原因:你必須要先把原來的電子釋放掉，然后才能重新進入電子。問題是二氧化硅絕緣層的厚度只有10納米的厚度，它并不是永不磨損的金剛之軀。在每一次的“隧穿”之后，它都會有磨損。當二氧化硅最終破損后，原子鍵破裂。

SLC能夠容忍更多的電壓狀態(tài)的變化，因為它本身只有兩種電壓狀態(tài)。但是在TLC閃存中，存儲單元中有八種電壓狀態(tài)，這樣硬盤的容錯能力就十分有限了。這正是問題所在，SLC閃存擁有更大的電壓空間，因此它能夠容忍跟高的電壓峰值變化，直到整個Block因為擦除數(shù)據(jù)過慢而停止工作。

這就是SLC閃存擁有更高擦寫次數(shù)的原因。用戶可以刪除或者寫入數(shù)據(jù)的次數(shù)要更長。而TLC的電壓容忍率最低，因此TLC閃存的擦寫次數(shù)自然最低。所以目前大多數(shù)的TLC的寫入次數(shù)只有1000次左右。耐用性（壽命）正是TLC的致命軟肋。

當然壽命可以通過控制芯片校驗和智能磨損平衡技術算法，使得每個存儲單元的寫入次數(shù)可以平均分攤，但對于TLC而言這還不足夠好。依舊再用840evo舉例，國外有達人做個一個耐用性測試，編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1064次，也就是說250GB的終生數(shù)據(jù)寫入量也就在270TB左右。

三星840系列使用的是自家的21nm制程ToggleDDR2.0TLC閃存顆粒

128GB iPhone 6就算你用三年，你能寫入數(shù)據(jù)達到130TB嗎？這或許就是膽大的蘋果敢使用TLC的主要原因。不過據(jù)說，蘋果最近也在考慮更換TLC閃存的事情，當然一切還沒有最終的消息。