為提升內(nèi)存容量減少硬盤(pán)數(shù)量，科學(xué)家需要找到適合記憶存儲(chǔ)的材料。在一些被稱(chēng)為鐵電材料的氧化物陶瓷中，存在可切換電偶極子的微小域。兩個(gè)相反的偶極方向可以被用作計(jì)算機(jī)內(nèi)存的兩個(gè)邏輯信號(hào)“0”和“1”。而挑戰(zhàn)的關(guān)鍵是如何把域在“0”和“1”之間切換。
傳統(tǒng)的技術(shù)采用局部加熱、機(jī)械應(yīng)力或者電偏壓來(lái)切換，但具有某些缺陷。陳子斌等人發(fā)現(xiàn)，高能量電子束引入的電場(chǎng)可以實(shí)現(xiàn)切換，并有能力將當(dāng)前域的尺寸縮減到百分之一，從而讓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力大大增強(qiáng)。
領(lǐng)導(dǎo)研究的廖曉舟教授指出，電腦硬盤(pán)故障的可能原因是磁頭碰撞，磁頭可能接觸或劃傷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)盤(pán)片的表面，導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。但新方法不需要與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)有任何的物理接觸，因此避免了對(duì)硬盤(pán)的物理性損害。
上述研究成果已發(fā)表在美國(guó)《物理評(píng)論快報(bào)》期刊上。
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