據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21nm制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%；10nm級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。

SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，尤其是智能型手機(jī)內(nèi)嵌LPDDR 4容量向4GB/6GB提升，公司以21nm技術(shù)量產(chǎn)的DRAM滿足市場需求變化。

金進(jìn)國進(jìn)一步表示，SK海力士啟動(dòng)21nm DRAM量產(chǎn)的時(shí)間比競爭同業(yè)略晚，但由于啟用新制程會(huì)帶來許多不確定性，因此不得不謹(jǐn)慎看待。經(jīng)由反復(fù)測試所累積的經(jīng)驗(yàn)也可視為公司的無形資產(chǎn)，有助于從事更先進(jìn)制程研發(fā)。目前預(yù)估2016年底可完成10nm級DRAM研發(fā)，計(jì)劃在2017年上半投產(chǎn)。

SK海力士NAND研發(fā)本部3D技術(shù)負(fù)責(zé)人金基碩(音譯)表示，NAND Flash市場的成長速度比DRAM市場還快，2016年第3季NAND Flash事業(yè)成功取得盈余，若持續(xù)提高3D NAND Flash的產(chǎn)品競爭力，未來應(yīng)可穩(wěn)定維持獲利。

金基碩表示，截至第3季為止3D NAND Flash在整體NAND Flash的生產(chǎn)比重還不到10%，公司計(jì)劃在維持2D產(chǎn)品的獲利性下，同時(shí)提高3D產(chǎn)品的生產(chǎn)比重，目標(biāo)2016年底前提升到15%左右。SK 海力士將在2017年上半應(yīng)可完成72層3D NAND Flash研發(fā)，M14工廠也將在2017年投入生產(chǎn)，有助于3D NAND產(chǎn)品的生產(chǎn)比重進(jìn)一步擴(kuò)大。