今年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)異?；鸨?，特別是進(jìn)入下半年以后，無論是DRAM，還是NAND Flash閃存，供貨吃緊程度與日俱增，價(jià)格也是水漲船高。

來自TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange的調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，今年第三季度NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠的季度營收增長(zhǎng)19.6%，利益率也較上季大幅進(jìn)步。

與此同時(shí)，今年第四季度主流容量PC-Client OEM SSD（固態(tài)硬盤）合約均價(jià)近一年來首度大漲，MLC-SSD漲幅達(dá)6～10%，TLC-SSD則上漲6～9%。由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換期，而且，龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略，預(yù)計(jì)2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價(jià)仍將持續(xù)走高。

市場(chǎng)如此缺貨，價(jià)格這么誘人，各大存儲(chǔ)器廠家都在磨刀霍霍，準(zhǔn)備大干一場(chǎng)。除了擴(kuò)充產(chǎn)能之外，在工藝革新方面更是費(fèi)勁心力，以求在競(jìng)爭(zhēng)激烈，且錢景美好的2017年占據(jù)有利位置。

圖片來源：DRAMeXchange

美光3D NAND產(chǎn)能超2D，64層堆棧蓄勢(shì)待發(fā)

昨天，美光（Micron）傳出消息，該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底將大規(guī)模量產(chǎn)。

目前，市場(chǎng)上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量，或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2D NAND閃存好得多，廠商也會(huì)借此降低成本，提高產(chǎn)量。以美光為例，他們的2D NAND閃存主力是16nm工藝的，MLC/TLC閃存的核心容量不過128Gb，而3D NAND技術(shù)的MLC閃存核心容量就有256Gb，TLC更是達(dá)到384Gb，大大高于2D NAND閃存。

在轉(zhuǎn)向3D NAND方面，實(shí)力最強(qiáng)的三星跑得最快，東芝/閃迪、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比較慢的了，不過一旦3D NAND閃存開始量產(chǎn)，由于容量先天性的優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)能超過2D NAND閃存是遲早的事。美光CFO Ernie Maddock在參加巴克萊銀行全球技術(shù)、媒體及通訊大會(huì)上就確認(rèn)，該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能與2D NAND閃存已經(jīng)來到拐點(diǎn)上，也就是說3D閃存的產(chǎn)能（以bit容量計(jì)）要超過2D NAND閃存了。

Ernie Maddock還提到他們第一代3D NAND閃存在降低成本上已經(jīng)達(dá)到預(yù)期目標(biāo)，此前美光在今年上半年的路線圖上指出3D NAND閃存比2D NAND降低至少20%的成本，現(xiàn)在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了20-25%的成本降低。

對(duì)美光來說，好事還不止這一件，他們的第二代3D NAND閃存也要量產(chǎn)了，早前美光公布消息稱第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工廠開始生產(chǎn)，相比目前的32層堆棧，第二代3D NAND閃存堆棧層數(shù)提升到64層，容量進(jìn)一步提高，成本也會(huì)進(jìn)一步降低30%。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，美光2016會(huì)計(jì)年度第四季（6～8月）出貨量增長(zhǎng)13%，平均銷售單價(jià)下滑1%，非易失性內(nèi)存營收增長(zhǎng)10%，達(dá)到10億美元，在產(chǎn)品營收比重上，移動(dòng)式NAND閃存微幅上升至18%、SSD則占13%，車用及其他類別占約19%。

據(jù)悉，美光3D-NAND Flash在客戶端得到了不錯(cuò)評(píng)價(jià)，其用戶級(jí)SSD也已開始量產(chǎn)出貨，而企業(yè)級(jí)SSD的季度出貨量更是大幅增長(zhǎng)了45%。

希捷聯(lián)手SK海力士搶灘SSD？

相對(duì)于HDD硬盤需求的疲軟，NAND閃存及SSD固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了存儲(chǔ)市場(chǎng)的當(dāng)紅明星。不論是在移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)上都在快速成長(zhǎng)。

眼下，SSD硬盤取代HDD已經(jīng)是大勢(shì)所趨，NAND閃存漲價(jià)是不可能阻擋的。HDD玩兒家現(xiàn)在只剩下西數(shù)、希捷及東芝等少數(shù)廠商，東芝本身就是NAND大廠，而西數(shù)收購閃迪之后也一躍成為重量級(jí)SSD公司，希捷出路何在？以希捷的實(shí)力，收購余下的NAND公司有些困難，前些天，有爆料稱希捷準(zhǔn)備與SK 海力士組建合資公司進(jìn)軍服務(wù)器、云數(shù)據(jù)SSD市場(chǎng)。

同樣受惠于智能手機(jī)的eMMC／eMCP需求，及其他品牌新機(jī)上市的備貨需求帶動(dòng)，使得第三季度SK海力士NAND Flash出貨量增長(zhǎng)12%，平均銷售單價(jià)更是增長(zhǎng)7%，營收也大幅增加20.3%，至10.61億美元。

據(jù)悉，SK海力士3D-NAND Flash的產(chǎn)能在今年底前將達(dá)每月2～3萬片，第三代3D-NAND Flash明年第一季可開始放量出貨，第四代3D-NAND Flash有機(jī)會(huì)在明年下半年開始少量生產(chǎn)。

希捷自身并非沒有SSD業(yè)務(wù)，實(shí)際上希捷在SSD領(lǐng)域布局還挺早，很多人都知道希捷收購了知名SSD主控廠商SandForce，8月份的時(shí)候希捷還宣布了全球容量最大的60TB SSD硬盤，但是希捷缺少關(guān)鍵的NAND供應(yīng)，這方面只能依靠其他公司，要想做大做強(qiáng)，NAND供應(yīng)問題必須解決。

西數(shù)收購閃迪之后，全球剩下的NAND豪門還有三星、美光、SK Hynix、東芝、Intel等，這些公司的SSD業(yè)務(wù)要么不可能出售，能出售也會(huì)是天價(jià)，希捷在HDD市場(chǎng)營收、份額都并不如西數(shù)，是否如西數(shù)那樣有魄力收購一家大型NAND供應(yīng)商還是個(gè)問題。

有關(guān)希捷準(zhǔn)備與SK Hynix成立一家合資公司的事宜，現(xiàn)在還沒有官方證實(shí)，細(xì)節(jié)也無從得知，不過這兩家抱團(tuán)的話也并不意外，現(xiàn)在服務(wù)器、云數(shù)據(jù)領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊是三星和Intel，SK Hynix和希捷合作的話剛好可以互補(bǔ)。

三星下半年投資破紀(jì)錄

2016下半年，三星為強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，資本支出毫無保留，估計(jì)預(yù)算超過17兆韓元，較2013年同期所創(chuàng)史上最高紀(jì)錄14.72兆韓元，還要高出一大截（15.5%）。三星上半年已砸了8.8兆韓元，這使其全年投資額突破26兆韓元，而3D NAND閃存則是其下半年重點(diǎn)投資項(xiàng)目。

據(jù)三星執(zhí)行董事 Lee Myung-jin 表示，3D NAND 芯片與 OLED 面板需求都呈現(xiàn)爆發(fā)性增長(zhǎng)，因此也是今年投資重點(diǎn)。三星希望通過大規(guī)模擴(kuò)充產(chǎn)能，在上述領(lǐng)域擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

由于第三季度中國智能手機(jī)品牌對(duì)于高容量eMMC／UFS的需求強(qiáng)勁，讓三星成為最大贏家。三星在高容量的eMMC／UFS與eMCP市占率在行業(yè)領(lǐng)先，企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品更是憑借出色的性價(jià)比，增長(zhǎng)強(qiáng)勁。第三季度，三星NAND Flash出貨量增長(zhǎng)約20%，營收增長(zhǎng)約20%。

第四季度，智能手機(jī)的需求將帶動(dòng)高容量eMMC／UFS與eMCP的需求攀升至年度高點(diǎn)，再加上三星在用戶級(jí)、企業(yè)級(jí)SSD的市占率增加，預(yù)估三星的表現(xiàn)將較第三季更出色。

東芝力推15nm閃存

而作為閃存的發(fā)明者，同時(shí)也是存儲(chǔ)器另一大廠，東芝電子現(xiàn)有第二半導(dǎo)體廠已全力生產(chǎn)3D-NAND Flash，第四季度產(chǎn)能達(dá)每月４萬片，等到2017年64層堆棧的3D-NAND Flash順利量產(chǎn)后，產(chǎn)能提升速度將更快，而其第六半導(dǎo)體廠房新建計(jì)劃，將從明年二月開始動(dòng)工。

不久前，東芝正式推出了新一代eMMC 5.1、UFS 2.1閃存，使用的是15nm 工藝，這使其成為現(xiàn)今全球尺寸最小的閃存芯片。

新的UFS芯片基于東芝的15nm MLC NAND工藝，其容量從32GB到128GB幾種規(guī)格。順序讀寫速度分別為850MB/s和180MB/s，較舊型號(hào)提高了約40%和16%，而隨機(jī)讀取和寫入性能分別提高了約120%和80%。

eMMC 5.1閃存速度比不上UFS，不過eMMC閃存是中低端手機(jī)的首選。東芝的eMMC 5.1閃存也是15nm工藝，不過官方?jīng)]確認(rèn)是MLC還是TLC的，估計(jì)后者的可能性更大，畢竟成本更低。

安卓陣營的廠商地位還是不如蘋果，東芝現(xiàn)在對(duì)外提供的容量最多128GB，也沒用3D NAND技術(shù)，而iPhone 256GB版使用的是東芝48層堆棧的3D NAND閃存。

值得一提的是，東芝不僅使用自家的閃存，主控也是自己開發(fā)的，而其還在開發(fā)自己的M-PHY 3.0物理層及UniPro 1.6。

中國NAND閃存市場(chǎng)大有可為

目前，中國已經(jīng)成為NAND閃存的最大市場(chǎng)，而SSD固態(tài)硬盤也是增長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。因此，也吸引了各廠商的競(jìng)相投入。包括三星在中國西安投資的NAND工廠已經(jīng)投產(chǎn)，主要產(chǎn)品就是3D NAND閃存。而英特爾也把大連的封測(cè)工廠改造成NAND工廠，預(yù)計(jì)2016年底開始小量生產(chǎn)，主力產(chǎn)品很有可能就是3D XPoint閃存。

同時(shí)，NAND閃存也成為我國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵一環(huán)，因此，近幾年國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金選擇了NAND閃存做為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)投資項(xiàng)目，也借以扶植本土廠商的成長(zhǎng)。

目前，正在進(jìn)行中的項(xiàng)目，主要有耗資超過240億美元，由武漢新芯科技主導(dǎo)的國家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地，第一期工廠以生產(chǎn)NAND閃存為主，預(yù)計(jì)2018年正式投產(chǎn)3D NAND閃存。另外，在深圳、廈門、泉州以及合肥等地也在積極拓展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)，地方政府的投資也是大手筆。

除了NAND閃存之外，中國廠商也在積極進(jìn)軍增長(zhǎng)快速的SSD固態(tài)硬盤控制IC市場(chǎng)。目前，SSD固態(tài)硬盤的控制IC市場(chǎng)主要是由美系Marvell、SandForce，及中國臺(tái)灣廠商慧榮（SMI）、智微（JMicron）等公司主導(dǎo)。但市場(chǎng)中也開始出現(xiàn)中國大陸公司的身影，如Marvell就跟深圳的江波龍公司達(dá)成了合作協(xié)議，其他如瀾起微電子、中勍科技、國科微電子等公司也宣布了類似的計(jì)劃或者產(chǎn)品，只不過目前還沒有成氣候。