市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights統(tǒng)計(jì)指出，今年全球半導(dǎo)體資本支出將較去年再增加6%，預(yù)期三星、英特爾今年資本支出均年增逾兩位數(shù)，臺(tái)積電則減2%，使得臺(tái)積電今年資本支出預(yù)估100億美元，低于英特爾的120億美元、退居第三位。

ICInsights統(tǒng)計(jì)，今年全球半導(dǎo)體資本支出將達(dá)723.05億美元，其中，韓國(guó)三星今年資本支出居冠為125億美元，年增11%；美國(guó)英特爾估為120億美元，今年資本支出較去年大幅增加25%。臺(tái)積電去年資本支出估約102.49億美元新高，今年則是100億美元，居于第三。

ICInsights統(tǒng)計(jì)中看出，前十大廠商有兩家今年資本支出成長(zhǎng)在兩成以上，分別是英特爾的年增25%與格羅方德（GlobalFoundries）的33%。格羅方德去年資本支出大減62%，今年資本支出為20億美元，且預(yù)計(jì)直接挑戰(zhàn)7nm制程。

目前英特爾也在沖刺7nm制程。臺(tái)積電更取得優(yōu)勢(shì)地位；董事長(zhǎng)張忠謀昨(2)日表示，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)會(huì)表現(xiàn)不錯(cuò)，預(yù)估將較去年成長(zhǎng)4%-5%，臺(tái)積電會(huì)優(yōu)于產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率，預(yù)估今年臺(tái)積電營(yíng)收會(huì)有5%-10%成長(zhǎng)，臺(tái)積電的制程技術(shù)亦超越任何競(jìng)爭(zhēng)者。

另外，DRAM市況持續(xù)看好，三星、海力士預(yù)估將增加資本支出11%與16%。另一家存儲(chǔ)器廠美光，去年資本支出成長(zhǎng)28%；美光去年底收購華亞科后，今年資本支出則年減13%為50億美元。

此外，晶圓代工廠中芯去年資本支出大增87%，但今年預(yù)估資本支出年減12%為23億美元。至于聯(lián)電去年資本支出估達(dá)28.42億美元新高，今年預(yù)估降3成至20億美元。