內(nèi)存壟斷即將打破 國內(nèi)三大存儲(chǔ)廠將試產(chǎn)

責(zé)任編輯:zsheng

2018-07-22 08:44:29

摘自:手機(jī)中國 

據(jù)集微網(wǎng)報(bào)道,今年下半年,國內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商長江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長鑫將相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段,中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。國產(chǎn)內(nèi)存雖然暫時(shí)難以撼動(dòng)三星、美光、SK海力士等國際存儲(chǔ)巨頭的地位,但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場價(jià)格走勢產(chǎn)生影響。

據(jù)集微網(wǎng)報(bào)道,今年下半年,國內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商長江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長鑫將相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段,中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。國產(chǎn)內(nèi)存雖然暫時(shí)難以撼動(dòng)三星、美光、SK海力士等國際存儲(chǔ)巨頭的地位,但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場價(jià)格走勢產(chǎn)生影響。

目前,中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)有投入NAND Flash市場的長江存儲(chǔ),有專注于手機(jī)內(nèi)存的合肥長鑫,以及致力于DRAM內(nèi)存的福建晉華三大陣營。近期傳出合肥長鑫投產(chǎn)8Gb LPDDR4規(guī)格的DRAM芯片,被視為我國DRAM產(chǎn)業(yè)的里程碑事件,這款DRAM芯片或?qū)⒂诮衲昴甑浊巴瞥?GB DDR4工程樣品,2019年Q3正式推出8GB LPDDR4內(nèi)存。

 

紫光旗下的長江存儲(chǔ)已獲得首筆超過1萬顆的晶片訂單,但32層3D NAND Flash量產(chǎn)規(guī)模仍有限,單月僅約5000片,長江存儲(chǔ)的研發(fā)重點(diǎn)將集中于64層3D NAND Flash,2018年底前推出第一個(gè)產(chǎn)品樣本,預(yù)計(jì)2020年產(chǎn)能快速推進(jìn)至單月10萬片。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),從2020~2021年起,中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將開始取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)。

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