閃存將成為存儲領(lǐng)域的“王者”
 

全球最大的半導(dǎo)體電路國際會議“ISSCC 2012”于2012年2月20日（周一）在美國舊金山開幕。在主題演講中美國晟碟（SanDisk）公司創(chuàng)始人、前CEO兼董事長艾利·哈拉里（Eli Harari）率先登臺亮相，他以“Flash Memory—The Great Disruptor！”為題發(fā)表了演講。

哈拉里在任期間一直專注于閃存領(lǐng)域，通過迅速削減成本，閃存陸續(xù)取代了現(xiàn)有的存儲介質(zhì)。哈拉里此次演講題目中的Disruptor包含“破壞者”的意思。實際上，閃存“在從1991年到2012年的約20年內(nèi)，將成本削減至1/50000，奪得了鹵化銀膠片、軟盤、磁帶、光盤和硬盤市場”（哈拉里）。

閃存以破竹之勢迅猛發(fā)展，而支撐其降低成本的制造技術(shù)微細(xì)化的發(fā)展前景卻并不明朗。哈拉里指出，目前的最尖端品采用19nm工藝前后的制造技術(shù)，而今后要想微細(xì)化至10nm工藝，就必須解決以下課題：浮游柵中能夠存在的電子數(shù)量越來越少、隧道絕緣膜厚度要降至7nm以下、使用EUV曝光、需要投入100億美元資金的投資回報（ROI）問題等。關(guān)于解決這些課題的方法，哈拉里提到了向市場投放在系統(tǒng)側(cè)進(jìn)行輔助從而放寬了標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存，以及使三維（3D）單元積層構(gòu)造的可變電阻式存儲器（ReRAM）實用化等。哈拉里表示，3D-ReRAM“可能會打破現(xiàn)有的競爭關(guān)系”。

哈拉里指出，投放這些使能技術(shù)（Enabling Technology）后，閃存的發(fā)展將會勢不可擋（Unstoppable）。而且，今后會不斷侵食其他存儲介質(zhì)。比如侵食DRAM。哈拉里預(yù)測，“截至目前，NAND閃存的成本已經(jīng)降至DRAM的1/10左右。今后這個差距也無法消除。設(shè)備廠商不能忽視這個差距。目前的NAND閃存架構(gòu)已優(yōu)化至串行訪問（Serial Access），2020年前后將出現(xiàn)采用新型架構(gòu)的NAND閃存。新型NAND閃存將配置在微處理器的旁邊，與DRAM共存”。另外，關(guān)于與硬盤之間的競爭，哈拉里表示“客戶端基本上由閃存獨霸一方，目前閃存正在不斷地進(jìn)軍服務(wù)器領(lǐng)域。單從之前的發(fā)展趨勢來看，閃存處于有利地位。最終會勝過硬盤”。

哈拉里在結(jié)論中表示，“閃存市場的增長幅度將超出各位的預(yù)期。2020年之前閃存在市場規(guī)模上將成為存儲領(lǐng)域的‘王者’。