在NAND Flash晶片市場(chǎng)各據(jù)一方的東芝與三星電子，為了在新一代3D記憶體晶片市場(chǎng)搶得先機(jī)，近日正加緊研發(fā)腳步，盼能搶先對(duì)手一步突破48層技術(shù)門檻并開始量產(chǎn)。

NAND Flash晶片是目前普遍應(yīng)用于智慧型手機(jī)與PC的記憶體晶片，由三星主導(dǎo)全球市場(chǎng)，其次是市占率第2的東芝。但隨著NAND Flash晶片技術(shù)逼近最高極限，叁星、東芝早已開始研發(fā)新一代記憶體晶片技術(shù)。

相較于2D記憶體晶片的單層結(jié)構(gòu)，3D記憶體晶片能靠多層結(jié)構(gòu)大幅擴(kuò)充記憶體容量。

以東芝為例，該公司目標(biāo)在2019會(huì)計(jì)年度(2019年4月起)前制造出容量1TB的3D記憶體晶片，相當(dāng)于目前2D記憶體晶片最大容量的16倍。

然而，眼前兩家公司的3D記憶體晶片技術(shù)仍在研發(fā)階段。據(jù)業(yè)界人士透露，東芝與三星各自研發(fā)的3D記憶體晶片技術(shù)已在去年達(dá)到24層技術(shù)門檻，且預(yù)計(jì)今年升級(jí)至32層技術(shù)。

但一名東芝高層透露，「現(xiàn)階段量產(chǎn)3D記憶體晶片沒有意義」，因?yàn)椴捎?2層技術(shù)的3D記憶體晶片生產(chǎn)成本還太高，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力不及目前最高規(guī)格的2D記憶體晶片。

觀察家認(rèn)為東芝及三星都立志在明年突破48層技術(shù)門檻，一旦突破就會(huì)立刻量產(chǎn)，因此在這個(gè)節(jié)骨眼只要其中一家公司研發(fā)進(jìn)度領(lǐng)先，就可望主導(dǎo)日后的3D記憶體晶片市場(chǎng)。