英特爾在14納米及10納米制程推進出現(xiàn)延遲，已影響到處理器推出時程，也讓業(yè)界及市場質(zhì)疑：摩爾定律是否已達極限？不過，英特爾仍積極尋求在7納米時代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光（EUV），以及開始采用包括砷化銦鎵（InGaAs）及磷化銦 （InP）等三五族半導(dǎo)體材料。

摩爾定律能否持續(xù)走下去，主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來愈高。目前包括英特爾、臺積電、三星等大廠，主要 采用多重曝光（multi-patterning）的浸潤式微影（immersion lithography）技術(shù)，但當制程技術(shù)走到10納米世代時，高密度的邏輯IC需要進行至少4次的曝光制程，制造成本自然大幅拉高。

為了解決微影曝光制程的成本問題，半導(dǎo)體大廠近幾年已著手進行EUV微影技術(shù)的研發(fā)，近一年來，EUV技術(shù)雖然有明顯突破，但在量產(chǎn)上仍未達到該有的經(jīng)濟規(guī) 模。不過，根據(jù)EUV設(shè)備大廠艾司摩爾（ASML）的說明，今年若能將每日曝光晶圓產(chǎn)能提高到超過1，500片，將有助于業(yè)界開始采用EUV技術(shù)。

英特爾已規(guī)畫在7納米制程開始采用EUV技術(shù)，若是可以達到量產(chǎn)經(jīng)濟規(guī)模，則英特爾可望在7納米世代重新回到摩爾定律的循環(huán)。至于臺積電部份，已計畫在7奈米開始進行試產(chǎn)，若一切順利，將可在5納米世代開始導(dǎo)入EUV技術(shù)。不論英特爾或臺積電，EUV量產(chǎn)的時間點約落在2020年左右。

半導(dǎo)體材料也是延續(xù)摩爾定律的重要改變。英特爾已開始試著采用包括砷化銦鎵（InGaAs）及磷化銦（InP）等三五族半導(dǎo)體材料，希望能夠在7納米之后進行材料上的改變，只要能重回摩爾定律的循環(huán)，英特爾的處理器發(fā)展策略就可回到二年循環(huán)的軌道。

臺積電16納米開始采用鰭式場效電晶體（FinFET）制程，而10納米及7納米世將延續(xù)采用FinFET技術(shù)，而到5納米之后，也已計畫更改半導(dǎo)體材料。據(jù)了解，臺積電很有可能會在5納米世代采用InGaAs的三五族半導(dǎo)體材料，來維持摩爾定律的有效性。