新希望?中芯國(guó)際40nm ReRAM芯片出樣

責(zé)任編輯:editor004

作者:王輝

2017-01-17 11:18:53

摘自:中關(guān)村在線

目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)。近日,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片

目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)。

2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作,發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中,中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。

近日,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。

  近日,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。

據(jù)介紹,這種芯片比NAND芯片性能更強(qiáng),密度比DRAM內(nèi)存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,耐久度高1000倍,單芯片(200mm2左右)即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ),還具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。

另外,按計(jì)劃更先進(jìn)的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問世。

鏈接已復(fù)制,快去分享吧

企業(yè)網(wǎng)版權(quán)所有?2010-2024 京ICP備09108050號(hào)-6京公網(wǎng)安備 11010502049343號(hào)