Marvell Semiconductor正在制造一種新的基于SATA的固態(tài)硬盤控制器，專為提高基于三階存儲單元(TLC)的非易失性NAND閃存記憶體的錯誤檢測率，據(jù)說這樣可以刺激固態(tài)硬盤(SSD)制造商為深層歸檔開發(fā)一些基于三階存儲單元(TLC)的企業(yè)級硬盤。

Marvell的88SS107控制器是該公司第五代控制器，將會使用一個標(biāo)準(zhǔn)的6 Gbps SATA磁盤接口，并用其標(biāo)志性的低密度奇偶校驗解碼技術(shù)來檢測“串?dāng)_”錯誤。同時，Marvell采用28納米“互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)”技術(shù)來設(shè)計該控制器，擁有了更強大的固件。

Marvell公司的首席技術(shù)官Zining Wu說：“這些技術(shù)使我們能夠在芯片中嵌入更多的電路，以支撐更復(fù)雜的算法運行。”

三階存儲單元(TLC)在每個存儲單元中存放3位信息，廣泛應(yīng)用于不需要高寫入周期的消費類驅(qū)動器中。三階存儲單元 (TLC)盡管比“單階存儲單元(SLC)”和“多階存儲單元(MLC)”便宜，但是由于其較低的讀寫壽命和三個不同的電平造成的信號干擾，基本不用于企業(yè)中。

由于三階存儲單元(TLC)每個存儲單元中存放相對較多的存儲位信息，而且相鄰單元之間電平的不同造成讀寫過程中干擾變大，因此三階存儲單元 (TLC)在性能下降之前一般只能保證每個物理內(nèi)存塊200到300次擦寫壽命。多節(jié)存儲單元(MLC)在已有的存儲陣列中是最受歡迎的閃存記憶體，因為其能保證每個物理內(nèi)存塊3000次的擦寫壽命。

Zining Wu表示Marvell的高級控制器可以通過在固態(tài)硬盤(SSD)中整合三階存儲單元(TLC)來代替多節(jié)存儲單元(MLC)達(dá)到降低整體存儲成本的目的，但是他拒絕對硬盤廠商何時會采用該技術(shù)作出預(yù)測。

Taneja Group的總裁Arun Taneja認(rèn)為Marvell的新控制器應(yīng)該能夠加快TLC閃存在企業(yè)存儲中的步伐。

Taneja說：“三階存儲單元已經(jīng)開始廣泛應(yīng)用于非關(guān)鍵性任務(wù)應(yīng)用程序的存儲陣列中，和兩年前的存儲領(lǐng)域情況相比較，這是一個非常驚人的消息，因為當(dāng)時在兩個不同的電平之間甚至還沒有糾錯算法。”

“而對我來說，這也絕對是個大新聞。因為所有冷存儲都是基于SATA的機械硬盤。關(guān)于超大檔案庫的最大問題是什么？是電力，冷卻和空間的費用。而這些問題都可以通過使用三階存儲單元(TLC)來解決。”

Marvell表示它們的控制器可以和領(lǐng)先的NAND制造商兼容，同時在這個夏天固態(tài)硬盤廠商會開始采樣使用該控制器。