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英特爾在全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。

2017-09-25

Intel這幾年制造工藝的推進緩慢頗受爭議，而為了證明自己的技術(shù)先進性，Intel日前在北京公開展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA芯片，并宣稱同樣是10nm，自己要比對手領(lǐng)先一代，還透露了未來7nm、5nm、3nm工藝規(guī)劃。

2017-09-27

之前，芯片大廠英特爾(英特爾)在中國舉行的“尖端制造大會”上，正式向大家展示了藉由最新的10納米制程技術(shù)所生產(chǎn)的晶圓，并且表示由10納米制程技術(shù)所生產(chǎn)的CannonLake處理器將會在2017年年底之前開始量產(chǎn)。

2017-09-28

當(dāng)前商用晶體管柵極大小在 10nm 左右，但是 IBM 早已開始了 7nm、甚至 5nm 工藝的研究。與當(dāng)前 10nm 芯片相比，5nm 原型芯片在額定功率下的性能可提升 40%，或在匹配性能下降低高達 75% 的能耗。

2017-06-05

相較于市場上的10納米技術(shù)，5納米制程可在相同的耗電下提高40%的效能，或是在相同效能下減少75%的耗電，對于節(jié)能或仰賴更高運算的人工智能

2017-06-08

三星集團日前宣布將投資8 5萬億韓元(69 8億美元)擴充現(xiàn)有10nm工藝產(chǎn)能，并為明年的7nm準(zhǔn)備基礎(chǔ)建設(shè)。2月的MWC展會上，LG發(fā)布的G6手機就只能使用驍龍821處理器

2017-03-18

而在工藝上，國內(nèi)晶圓代工廠也是落后于Intel、臺積電、格羅方德、三星等國際大廠的。舉例來說，某自主CPU公司采用了某境內(nèi)代工廠的40nm LL工藝，然后由于工藝性能有限，境內(nèi)代工廠的40nm LL工藝比意法半導(dǎo)體的65nm GP工藝還慢30%……

2017-01-12

移動設(shè)備發(fā)展緩慢，讓SoC大廠聯(lián)發(fā)科和高通尋找更好的增長市場，物聯(lián)網(wǎng)和汽車電子成為他們的下一個目標(biāo)。該公司與Google共同拓展Android生態(tài)系統(tǒng)

2017-01-19

剛結(jié)束的臺積電第二季新聞發(fā)布會，困擾業(yè)界、媒體多時的半導(dǎo)體工藝“魔術(shù)數(shù)字”問題，首度公開。“過去英特爾對臺積電有較大的技術(shù)領(lǐng)先，”高通首席營運官戴瑞克說，“我們認為這些差距正在縮小，而且還會持續(xù)縮小。

2016-07-21

臺積電與全球矽智材（IP）廠安謀（ARM）19 日共同宣布，完成首款采用臺積電 10 納米 FinFET（鰭式場效電晶體）制程生產(chǎn)的多核心 64 位 ARM 架構(gòu)處理器測試芯片。

2016-05-20

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