特殊工藝采用邏輯兼容低工作電壓的嵌入式閃存且具有待機(jī)泄漏電流低的特點(diǎn)

韓國首爾——2014年11月17日——東部高科今日宣布公司將增加采用嵌入式閃存(eFlash)的觸摸屏控制器(TSC)芯片的批量生產(chǎn)，以滿足智能手機(jī)中低端細(xì)分市場無生產(chǎn)線設(shè)計(jì)公司客戶的需求。若要迅速成為業(yè)界優(yōu)先選擇的技術(shù)，低泄漏電流和高電源效率非常重要，韓國代工廠的0.13微米節(jié)點(diǎn)特殊嵌入式閃存工藝是實(shí)現(xiàn)高性能微控制器單元(MCU)芯片的理想之選。

東部高科營銷執(zhí)行副總裁Jae Song表示：“當(dāng)前公司的目標(biāo)是拓展與智能手機(jī)市場多個(gè)無生產(chǎn)線設(shè)計(jì)公司客戶的合作，預(yù)計(jì)本公司的嵌入式閃存工藝將得到有效利用，生產(chǎn)用于平板電腦的TSC芯片以及MCU單片。”他指出，本公司相對(duì)較新的嵌入式閃存工藝提供極高的數(shù)據(jù)保留率和抗干擾性能，這得益于公司在過去的十年里生產(chǎn)編碼型(NOR)閃存芯片過程中積累的豐富經(jīng)驗(yàn)。

嵌入式閃存設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)

東部高科的先進(jìn)嵌入式閃存工藝兼容低壓邏輯電路，同時(shí)適用于內(nèi)核和I/O，工作電壓1.5V/3.3V（或可選8V/18V），并且具有待機(jī)泄漏電流低的特點(diǎn)，泄漏電流通常為1μA。各種嵌入式閃存Macro IP（免費(fèi)提供）支持16、32、64、128和256KB的非易失性存儲(chǔ)密度。憑借可減少測試時(shí)間的內(nèi)置測試模式、穩(wěn)定的macro IP以及可選銅線焊接，在芯片開發(fā)過程中進(jìn)一步降低成本。

TSC和MCU市場機(jī)遇

據(jù)高德納公司(Gartner)預(yù)測，中、低端手機(jī)市場（通常銷售100美元至300美元的手機(jī)）將大幅增長，今年銷量大約6.5億臺(tái)，預(yù)計(jì)2017年銷量將突破9.2億臺(tái)，這意味著復(fù)合年增長率將超過12%。同時(shí)，iSuppli看到智能手機(jī)和平板電腦TSC芯片的市場機(jī)遇，TSC芯片市場預(yù)計(jì)2014年到2016年將保持相當(dāng)穩(wěn)定的銷售額（約16億美元），而MCU芯片市場銷售額將從今年的160億美元左右增長至2016年的180億美元左右，復(fù)合年增長率約為6%。

關(guān)于東部高科

東部高科株式會(huì)社(Dongbu HiTek Co., Ltd.)專注于開發(fā)優(yōu)質(zhì)模擬與混合信號(hào)處理技術(shù)。該公司通過加工組合為高級(jí)集成電路(IC)帶來高價(jià)值，該組合包括模擬CMOS、BCDMOS、高壓CMOS、CMOS功率放大器(PA)、CMOS圖像傳感器(CIS)、顯示驅(qū)動(dòng)集成電路(DDI)、觸摸屏控制器集成電路與嵌入式閃存(Embedded Flash)技術(shù)。東部高科借助同類最佳的BCDMOS技術(shù)，生產(chǎn)很多種電源管理芯片，包括家用與便攜電子設(shè)備、汽車及工業(yè)系統(tǒng)的芯片。該公司目前可提供0.35微米到90納米的芯片代工工藝，其頂級(jí)代工能力與一流的設(shè)計(jì)支持、原型驗(yàn)證和封裝/模塊開發(fā)能力相輔相成。東部高科總部位于韓國首爾，在韓國證券交易所(Korea Stock Exchange)公開上市（股票代碼：000990）。如需了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問www.dongbuhitek.com。