三星否認投資200億美元提高3D NAND產(chǎn)量

責任編輯:editor004

作者:木秀林

2016-06-16 11:24:12

摘自:網(wǎng)易科技報道

6月15日消息,據(jù)路透社報道,《韓國經(jīng)濟新聞》稱,三星電子計劃明年底前投資25萬億韓元(約合213億美元)提高3D NAND閃存芯片產(chǎn)量。

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6月15日消息,據(jù)路透社報道,《韓國經(jīng)濟新聞》稱,三星電子計劃明年底前投資25萬億韓元(約合213億美元)提高3D NAND閃存芯片產(chǎn)量。對此三星電子予以否認。

全球最大的內(nèi)存芯片公司三星電子在提交的監(jiān)管文件中稱,媒體對其芯片投資計劃的報道是不準確的,還未決定具體的投資計劃。

《韓國經(jīng)濟新聞》報道,三星電子的計劃是為了壟斷內(nèi)存芯片市場,讓東芝、美光科技、英特爾和中國的XMC等無法追趕。原先三星在DRAM內(nèi)存市場也采取同樣的方法鞏固地位,結(jié)束了30年的“斗雞比賽”。

6月14日業(yè)內(nèi)消息稱,三星電子計劃在韓國華城工廠第17號生產(chǎn)線上建設一條3D NAND閃存生產(chǎn)線,此前還宣布將第16號生產(chǎn)線改造為3D NAND生產(chǎn)線。到今年底,該公司的生產(chǎn)能力可達到10萬塊晶圓片/月。

另外,三星電子已經(jīng)決定在年底前將完工的韓國平澤工廠生產(chǎn)3D NAND閃存(第一階段產(chǎn)量可達10萬塊晶圓片/月)。三星電子還將擴建中國西安工廠,使每月產(chǎn)量達到4萬塊晶圓片。

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