隨著世界走向“第四次工業(yè)革命”，全球半導體行業(yè)正經歷一場非常規(guī)的市場繁榮。

世界經濟論壇將物理、數(shù)字與生物系統(tǒng)之間界限的模糊定義為一種技術融合，第四次工業(yè)革命不僅使數(shù)十億人的連接有了可能，還實現(xiàn)了眾多物體之間的連接。

這一巨大變化的核心在于3D NAND閃存芯片技術的開發(fā)。3D NAND閃存芯片的結構常常被比作高層公寓，能連接所有如智能手機、平板電腦等移動設備，還能存儲海量數(shù)據(jù)。

對于主要芯片供應商而言，目前處于發(fā)展初期階段的3D NAND閃存市場充滿了機會，尤其是在未來5年，其需求每年至少增長40%。

SK海力士

3D NAND閃存市場的后來者正在吸引著人們的注意，因為它們正在從美國英特爾公司以及韓國三星電子等傳統(tǒng)芯片供應商那里尋求奪取市場領導權的機會。

SK海力士最近正引起全球的熱切關注，因為其擴產72層NAND閃存芯片這一重大計劃的落地，以及它獲得東芝這一日本競爭對手的部分股權，使它越來越逼近3D NAND閃存市場的頭把交椅。

根據(jù)市場研究機構IHS Markit的數(shù)據(jù)，截至2017年第一季度，三星在全球NAND閃存市場的份額為36.7%，緊隨其后的是東芝，其份額為17.2%，西部數(shù)據(jù)份額為15.5%，SK海力士擁有11.4%的份額。

總部位于韓國京畿道利川市的SK海力士，于2015年開始開發(fā)3D NAND閃存芯片，比三星大約晚了兩年。

然而，考慮到其目前3D NAND閃存技術發(fā)展的步伐以及其大規(guī)模生產能力，這個韓國第二大芯片制造商(SK 海力士)認為它的勝算非常大。

“誰搶先技術一步誰就能贏，”一位資深半導體行業(yè)官員表示。“SK海力士擁有量產72層256G 3D閃存芯片的技術，這也是迄今為止世界上最先進的技術。而在存儲芯片的質量上，SK海力士也與三星并駕齊驅。”

據(jù)悉，開發(fā)下一代3D NAND閃存芯片的關鍵技術被稱為“String tacking”，它可以將多個3D NAND閃存芯片連接起來。例如，巨大的研發(fā)資源正在被投入到將兩個48層的芯片堆疊在一起，從而創(chuàng)造出一種96層芯片的開發(fā)中來。而據(jù)了解，芯片層數(shù)越高儲存容量越大。

據(jù)報道，SK海力士已全面推出72層3D NAND芯片，這是業(yè)內迄今為止（量產）層數(shù)最高的閃存芯片。

考慮到目前制造3D NAND芯片的工具通常只能生產64層的3D NAND芯片，SK海力士能生產72層3D NAND芯片實屬了不起。

盡管東芝與西部數(shù)據(jù)公司最近宣布了其已成功開發(fā)出行業(yè)內首個96層3D NAND閃存技術，但業(yè)內人士稱，目前還不太清楚這一技術是否能在不久的將來大規(guī)模生產?？赡芩€將需要幾個月或一年以上的時間。

“由于SK海力士公司的聲譽是建立在制造能力而非營銷能力之上的，因此技術創(chuàng)新是我們未來發(fā)展的首要任務。”一位業(yè)內人士表示。

“根據(jù)工程師們的說法，以他們目前的技術，達到200層堆疊是可能的，并且我們相信3D NAND閃存芯片將會迎來技術突破。”

SK海力士正計劃在其位于韓國忠清北道清州市的第二大生產基地建造一個3D NAND產品的新生產線，預計將于本月舉行動土儀式。按計劃，這條新生產線將于2019年運營。

為對壘SK海力士，三星上周開始運營其位于韓國京畿道平澤市的一條一流64層V-NAND閃存芯片新生產線。這個時機讓三星很好地利用了自2016年第二季度以來的NAND芯片的供應緊張局勢。

"市場長達幾個季度供應不足,預計今年下半年芯片市場可能會有所緩解，因為多數(shù)供應商新晶圓產能的投產，以及所有供應商均增加64/72層3D NAND閃存芯片的產能,使2017年第三季度的芯片市場可能會出現(xiàn)輕微的供應過剩局面。”IHS分析師沃爾特·康(Walter Coon)在接受《韓國先驅報》電子郵件采訪時表示。

“由于新生產力以及3D技術的轉換,NAND的位元成長率(Bit Growth)預計今年下半年將出現(xiàn)大幅增長,未來兩個季度將實現(xiàn)13.5%和13.2%的增長,并使年度總位元成長率在2017年達到35.5%,”他表示。

“三星、SK海力士等其他廠商的增加的晶圓產能，以及64層3D NAND閃存芯片產能的提升，應該會有助于緩解閃存芯片市場供應不足的問題。”

事實上，受供應不足影響，DRAM和NAND芯片的市場價格不斷上漲，使SK海力士今年第一季度的營業(yè)利潤達到了2.5萬億韓元。

根據(jù)市場研究公司集邦科技的數(shù)據(jù)，過去5個季度，NAND閃存芯片的合同價格持續(xù)上漲，月增長率約為9%。

預計該公司將再次打破這一紀錄，第二季度營運利潤將達到3.04萬億韓元。

“（我們）對SK海力士的年度獲利預估非常樂觀，預計其年底前將跳升至11.7萬億美元，”未來資產大宇(Mirae Asset Daewoo)分析師Do Hyun-woo表示。“如果和東芝的交易進展順利，SK海力士的發(fā)展前景將更加樂觀。”

SK海力士是由美國私人股本基金貝恩資本與日本國有金融機構牽頭收購東芝NAND閃存業(yè)務的財團成員之一。它通過提供價值3萬億韓元的貸款來加入這個財團，以支付收購價格的15%。該財團是東芝的首選投標人。(編譯自韓國先驅報網)