東芝(Toshiba)11日發(fā)布新聞稿宣布，關(guān)于目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建的3D架構(gòu)NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)專用廠房「第6廠房」投資案，旗下子公司「東芝存儲(chǔ)器(TMC;Toshiba Memory Corporation)」原先是計(jì)劃在2017年度內(nèi)(截至2018年3月底為止的會(huì)計(jì)年度)砸下1950億日元資金，用于導(dǎo)入「第6廠房」第1期工程所需的生產(chǎn)設(shè)備以及用于第2期工程的廠房興建，不過(guò)因來(lái)自服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的3D NAND需求擴(kuò)大，故TMC將在2017年度內(nèi)加碼投資1100億日元用于第1期工程的設(shè)備導(dǎo)入，也就是說(shuō)2017年度內(nèi)對(duì)「第6廠房」的投資金額將擴(kuò)大至3050億日元。

東芝表示，關(guān)于Western Digital(WD)子公司SanDisk是否會(huì)參與上述追加的1100億日元投資計(jì)劃，目前正向SanDisk提案、協(xié)議中。

「第6廠房」第1期工程預(yù)計(jì)于2018年夏天完工，第2期工程廠房預(yù)計(jì)于2017年9月動(dòng)工、2018年年末完工。關(guān)于具體的產(chǎn)能、生產(chǎn)計(jì)劃，將于今后視市場(chǎng)動(dòng)向決定。

東芝6月28日宣布，已攜手SanDisk研發(fā)出全球首款采用堆棧96層制程技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品，且已完成試作、確認(rèn)基本動(dòng)作。

該款堆棧96層的3D NAND試作品為256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于2017年下半送樣、2018年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來(lái)?yè)尮?shù)據(jù)中心用SSD、PC用SSD以及智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)和記憶卡等市場(chǎng)。

上述堆棧96層的3D NAND將利用東芝四日市工廠「第5廠房」、「新第2廠房」以及預(yù)計(jì)2018年夏天完成第1期工程的「第6廠房」進(jìn)行生產(chǎn)。