近期，紫光集團(tuán)計劃投資120多億美元用于建造一家新的存儲芯片廠以及進(jìn)行半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收購；武漢新芯集成電路制造有限公司將募集約240億美元打造中國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地。這是中國公司吹起的進(jìn)軍存儲芯片產(chǎn)業(yè)最響亮的沖鋒號。

根據(jù)賽迪顧問提供的數(shù)據(jù)，2014年中國存儲芯片市場規(guī)模達(dá)到2465.5億元，占國內(nèi)芯片市場比重的23.7%，其比重超過CPU、手機(jī)基帶芯片。

中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)基本空白，幾乎100%依賴進(jìn)口。三星、美光、東芝、海力士等企業(yè)壟斷的存儲器市場高達(dá)800億美元，而中國每年進(jìn)口的存儲芯片就達(dá)600億美元。

對此，我國臺灣企業(yè)威剛科技董事長陳立白的觀點頗有代表性。“2014年中國大陸DRAM消耗量已達(dá)102億美元，約占全球市場的20%；NAND Flash消耗量也接近全球市場的25%。”陳立白說，“以這個數(shù)據(jù)來看，任何一個政府都會自己做。”

幾乎100%依靠進(jìn)口芯片

相對于整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，過去幾年存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展顯得更為搶眼。根據(jù)Gartner的統(tǒng)計，由于供應(yīng)不足及價格持續(xù)穩(wěn)定，2014年DRAM銷售額實現(xiàn)31.7%的增長，突破460億美元，超過1995年創(chuàng)下的記錄，創(chuàng)歷史新高。

從全球半導(dǎo)體企業(yè)營收排名中，也可以看出存儲器的重要性。在2014年的榜單中，壟斷存儲器市場的三星電子、美光、SK海力士分別排在第二、第四和第五的位置，其中DRAM分別占到美光、SK海力士總營收的七成和八成左右。

從市場份額來看，2015年第三季度全球DRAM市場最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，三星電子、SK海力士、美光的市場占有率分別是47%、28%和19%，合計達(dá)到驚人的94%。如果以廠商所在地區(qū)來計算的話，韓國企業(yè)占據(jù)了七成以上的市場，美國企業(yè)占兩成，我國臺灣企業(yè)約占5%左右。

在這樣的高度壟斷下，我國大陸的存儲器產(chǎn)業(yè)是一片空白，幾乎100%依賴進(jìn)口。賽迪顧問的數(shù)據(jù)顯示，2014年中國存儲芯片市場規(guī)模達(dá)到2465.5億元，超過CPU、手機(jī)基帶芯片。芯謀研究的相關(guān)報告中也指出，三星電子、美光、東芝、SK海力士等企業(yè)壟斷的存儲器市場高達(dá)800億美元，而中國每年進(jìn)口的存儲芯片就達(dá)到600億美元。

實際上，在2014年6月國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》后，國內(nèi)企業(yè)在芯片領(lǐng)域的大手筆布局就層出不窮，但直到今年年中為止，存儲器領(lǐng)域一直未有斬獲。

捷報從7月1日才開始傳來，武岳峰資本力挫賽普拉斯購得芯成半導(dǎo)體，進(jìn)入DRAM領(lǐng)域。隨后，傳出武漢新芯將募資250億美元打造國家級存儲器產(chǎn)業(yè)基地的消息。近日，紫光集團(tuán)更是通過對西部數(shù)據(jù)股份的收購間接入股了閃迪。國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)總算是有點盼頭了。

我國臺灣曾經(jīng)用300億美元買教訓(xùn)

“主流存儲器，不管是DRAM還是NAND，拼的都是先進(jìn)工藝和規(guī)模。美、韓、日之前都是走的這條路。”賽迪智庫集成電路產(chǎn)業(yè)研究所所長霍雨濤在接受《中國電子報》記者采訪時表示，“我國臺灣走的則是利基型存儲器路線，基本上都是別人淘汰后不做的產(chǎn)品。”

“我國臺灣地區(qū)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展上，應(yīng)該說總體是成功的。”業(yè)內(nèi)專家莫大康告訴《中國電子報》記者，“但是即便投入了300億美元，其存儲器之夢也未能實現(xiàn)。”

莫大康表示，上世紀(jì)80年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設(shè)計技術(shù)相對簡單且易于擴(kuò)大市場份額等。韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產(chǎn)業(yè)的第一。

我國臺灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。根據(jù)此理念，臺灣從2004年開始加速存儲器方面的投資，5年內(nèi)總投資高達(dá)300億美元以上，擁有了20條12英寸晶圓生產(chǎn)線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。但是最終，臺灣并未因12英寸晶圓生產(chǎn)線多而取得勝利，韓國的三星電子及SK海力士仍雄居全球存儲器第一與第二位，臺灣只得宣布放棄存儲器追趕策略，轉(zhuǎn)而固守陣地。

“臺灣在存儲器領(lǐng)域的失敗自然有其多方面原因，但存儲器產(chǎn)業(yè)的確需要的投資太多，專利壟斷太過激烈，風(fēng)險也太大。”莫大康表示，“在激烈的競爭中，原來的幾十家企業(yè)現(xiàn)在只剩下三家主流企業(yè)，多年來再無新企業(yè)進(jìn)入，中國企業(yè)想靠砸錢進(jìn)去實在是太難了。”

對此，我國臺灣的存儲器雙雄華亞科、南亞科也指出，我國大陸雖然資金寬裕，但欠缺關(guān)鍵技術(shù)。華亞科總經(jīng)理梅國勛表示，DRAM產(chǎn)業(yè)依賴資金、人才與技術(shù)，而目前技術(shù)都掌握在三星、SK海力士和美光手上，大陸如果從零開始，至少得花五到十年。不過，南亞科相關(guān)負(fù)責(zé)人也提出，若三大企業(yè)同意授權(quán)，在各方面給予技術(shù)支持，那么三年后也許就能得到很大發(fā)展。

做好長期大規(guī)模投入并虧損準(zhǔn)備

綜合各方面觀點來看，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，有三條路擺在我們面前：自主研發(fā)、國際并購和兩岸合作。

臺灣半導(dǎo)體協(xié)會理事長盧超群向《中國電子報》記者建議，兩岸存儲產(chǎn)業(yè)應(yīng)發(fā)揮各自特點，實現(xiàn)優(yōu)勢互補(bǔ)，加強(qiáng)企業(yè)間的合作，而不是單純地進(jìn)行市場購買行為。

不過，有專家指出，兩岸合作解決不了我國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本性的技術(shù)問題，從臺灣過去的發(fā)展歷程和經(jīng)驗來看，其核心技術(shù)來源于歐美的授權(quán)，所以只能做落后產(chǎn)品和利基型市場。

從自主研發(fā)的布局來看，中國科學(xué)院微電子研究所所長葉甜春在接受《中國電子報》記者采訪時表示，布局閃存還是存在機(jī)會的，特別是先進(jìn)存儲技術(shù)，如三維閃存技術(shù)等。具體途徑上，可以采取研究院所與企業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新的模式。

據(jù)悉，在該領(lǐng)域，武漢新芯已在今年2月份與飛索半導(dǎo)體達(dá)成合作，將聯(lián)手開發(fā)和生產(chǎn)三維閃存技術(shù)和產(chǎn)品，首款合作產(chǎn)品預(yù)計將于2017年問世。

從國際并購的角度來考慮，霍雨濤認(rèn)為，長期來看，還是要瞄向三星電子、SK海力士、美光這些廠商，或者合作，或者收購，而且同步的自主研發(fā)必不可少。RAM從SDR、DDR、DDR2、DDR3發(fā)展到目前主流的DDR4，NAND也從SLC、MLC發(fā)展到目前的TLC，技術(shù)演進(jìn)速度很快，投資也很大。至于我國具體的發(fā)展路徑，需要詳細(xì)分析技術(shù)來源的可獲得性，再看切入點。

無論朝哪個方向走，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)注定沒有捷徑，“彎道超車”希望渺茫。“存儲器和CPU一樣，是芯片領(lǐng)域的最大細(xì)分市場，同樣也是芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略制高點，所以一定是正面主戰(zhàn)場，靠游擊戰(zhàn)是不行的。”霍雨濤強(qiáng)調(diào)，“做存儲器產(chǎn)業(yè)，就要做好長期大規(guī)模投入、大規(guī)模虧損的心理準(zhǔn)備，板凳要坐十年冷，就像京東方之前投平板顯示一樣。”

如果說國家層面有了十年不賺錢的準(zhǔn)備，那后面的執(zhí)行層面就好說了。缺錢投錢，缺人找人，缺技術(shù)找技術(shù)，一直瞄準(zhǔn)戰(zhàn)略方向和目標(biāo)持續(xù)投入。

“實際上，相對于需要軟件支持的CPU而言，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的難度可能還小一些。”莫大康認(rèn)為，“但是這么大的投入，這么高的風(fēng)險，無論是企業(yè)層面還是國家層面，這個決心都很難下。”他建議慎重起見，從中小型項目開始投資，慢慢發(fā)展，慢慢跟上。