IC Insights最新報告預測,DRAM與NAND快閃存儲器等,未來五年年均復合增長率(CAGR)可達7.3%,產(chǎn)值將從去年的773億美元擴增至1,099億美元。
報告將半導體區(qū)分成邏輯、存儲器,模擬與微組件(microcomponents)IC等四種類型,在五年的預測區(qū)間內(nèi),以存儲器成長力道最為強勁,模擬IC以5.2%次之,微組件為4.4%,至于邏輯IC則僅有2.9%。
IC Insights指出智能手機等移動設備對低功耗存儲器需求激增,是驅(qū)動DRAM與NAND快閃存儲器成長的主要動能。除此之外,使用NAND快閃存儲器的固態(tài)硬盤(SSD)在數(shù)據(jù)中心、筆記本電腦的應用也日趨吃重。
三星上周五公布2016年第四季財報,在Note 7自燃召回的狀況下,營益竟然還能逆勢跳增近80%,就是因為受惠于存儲器價格大漲,將利潤空間拉大。